2012-04-18 10:41
TI, 고밀도 스위칭 전력 설계를 위한 고속, 단일 채널의 소형 게이트 드라이버 제품 출시
서울--(뉴스와이어) 2012년 04월 18일 -- TI는 MOSFET, IGBT 전력 디바이스를 비롯해 GaN(gallium nitride) 디바이스와 같은 와이드밴드갭(wide band-gap) 전력 반도체의 스위칭 손실을 최소화하기 위해 업계에서 가장 빠른 속도와 구동전류 성능을 갖춘 4A/8A 및 4A/4A 단일 채널, 로우사이드 게이트 드라이버 2종(제품명: UCC27511 및 UCC27517)을 출시했다.

TI의 새로운 UCC2751x 제품군인 UCC27511 및 UCC27517 드라이버는 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)를 사용하는 디스크리트 게이트 드라이버 회로를 효과적으로 대체하여, 오프라인 절연 전원공급장치, 통신 모듈, 에어컨 시스템, UPS 및 휴대형 전동공구와 같은 애플리케이션에서 효율성, 신뢰성 및 전력 밀도를 상당히 개선시켜준다. (샘플 및 PSpice 모델은 www.ti.com/ucc27511-pr 참조)

UCC27511 및 UCC27517의 주요 기술 특징:

- 신뢰성을 향상시키는 고전류 드라이브: UCC27511은 최대 4A 소스 / 8A 싱크 구동 전류 성능을 지원하며, UCC27517은 4A 소스/싱크 피크 전류 펄스를 지원
- 최고속 스위칭 속도: 두 드라이버 모두 13나노초(ns)의 빠른 전달 지연(propagation delay) 및 9ns/7ns 상승(rising) 및 하강(falling) 특성을 가지며, 극히 낮은 펄스 왜곡 성능을 제공
- 스위칭 손실의 최소화: 0.375W(UCC27517은 0.5W)의 풀다운 저항으로 전력 스위치의 Miller Plateau 구역 내에서의 스위칭 손실을 최소화하고 Miller 턴온 이벤트에 대한 내성을 향상시킴
- 설계 유연성: 4.5V~18V 동작 전압 및 전기적 파라미터는 -40C ~ 140C에 걸쳐 지원. VDD와 독립적인 최대 입력 전압으로 바이어스 전원 구조를 간소화

공급시기 및 가격

UCC27511은 6핀 SOT-23 패키지로 제공되며 권장 재판매 가격은 1천 개 수량일 때 개당 0.60달러이다. UCC27517은 5핀 SOT-23 패키지로 제공되며 권장 재판매 가격은 1천 개 수량일 때 개당 0.49달러이다. TI는 3mm x 3mm 6핀 WSON 패키지 및 다양한 CMOS 입력 임계값을 갖춘 단일 채널 게이트 드라이버 제품들은 2분기에 추가로 공급할 계획이다.

TI의 MOSFET 게이트 드라이버 및 전원장치 컨트롤러 제품 포트폴리오 관련 사이트

- 새로운 UCC27xxx 드라이버와 짝을 이루어서 이용할 수 있는 TI의 앞선 PWM 컨트롤러: UCC28250, UCC28950, LM5045, LM5046, LM5035
- 추가적인 GaN FET 드라이버 제품: 100V LM5113, LM5114
- 새로운 Power Stage Designer™ 스위치 모드 전원 장치 토폴로지 툴 다운로드: Power Stage Designer™
- TI E2E™ 커뮤니티에서 질문 및 문제해결: www.ti.com/powerforum-pr
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TI, 로우사이드 게이트 드라이버 2종(제품명: UCC27511 및 UCC27517) (사진제공: TI코리아)
TI, 로우사이드 게이트 드라이버 2종(제품명: UCC27511 및 UCC27517)
(사진제공: TI코리아)
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