페어차일드 반도체의 20V 단일 P-채널 PowerTrench MOSFET, 휴대기기의 배터리 충전 및 로드 스위칭 성능 향상
  • - 디바이스, 박형 패키지와 낮은 게이트 전류 누설 특성 제공
부천--(뉴스와이어) 2012년 08월 09일 -- 이동통신 단말기 및 기타 휴대형 애플리케이션 설계자들이 배터리 충전 및 로드 스위칭 성능을 향상시킬 수 있도록 지원하기 위해서 페어차일드 반도체(NYSE:FCS)가 자사의 P-채널 PowerTrench® MOSFET 라인을 확장했다.

FDMA910PZ 및 FDME910PZT은 MicroFET™ MOSFET 패키지를 특징으로 하며, 해당 물리적 크기(2 x 2mm 및 1.6 x 1.6mm)에서 탁월한 온도 성능을 제공하기 때문에 스위칭 및 선형 모드 애플리케이션에 최적화되었다. 디바이스는 20V 정격으로 제공되며, 낮은 온-상태 저항 특성을 제공한다. ESD(electrostatic discharge) 고장을 방지하기 위해서 FDMA910PZ 및 FDME910PZT은 최적화된 제너 다이오드(Zener diode) 보호 기능을 제공함으로써 IGSS 누설 최대 정력 역시 10µA에서 1µA으로 낮춘다.

추가 정보와 샘플 주문에 대해서는 다음을 참조하면 된다:
http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMA910PZ.html
http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDME910PZT.html...

특징 및 장점:

FDMA910PZ

· VGS = -4.5V, ID = -9.4A 조건에서 Max RDS(ON) = 20 mΩ
· VGS = -2.5V, ID = -8.6A 조건에서 Max RDS(ON) = 24 mΩ
· VGS = -1.8V, ID = -7.2A 조건에서 Max RDS(ON) = 34 mΩ
· 낮은 프로파일 - HBM ESD 보호 수준이 2.8kV typical 보다 높은 MicroFET 2 x 2mm 패키지에서 최대 0.8mm

FDME910PZT

· VGS = -4.5V, ID = -8A 조건에서 Max RDS(ON) = 24mΩ
· VGS = -2.5V, ID = -7A 조건에서 Max RDS(ON) = 31mΩ
· VGS = -1.8V, ID = -6A 조건에서 Max RDS(ON) = 45mΩ
· 낮은 프로파일 - HBM ESD 보호 수준이 2kV typical 보다 높은 MicroFET 1.6 x 1.6mm 박형 패키지에서 최대 0.55mm

FDMA910PZ 및 FDME910PZT은 할로겐 성분과 산화안티몬이 없으며, RoHS 지침을 준수한다. 두 디바이스 모두 저전압 조건에서 안전 동작을 제공하며, 단말기 및 휴대형 기기에서의 사용에 적합하다.

페어차일드 반도체는 특수한 설계 요구사항들을 충족시킬 수 있도록 고객맞춤화가 가능한 방대한 아날로그 및 전력 IP 포트폴리오를 제공하고 있는 모바일 기술 선도업체이다. 선도적인 회로 기술들을 초소형 첨단 패키지에 통합시킴으로써 페어차일드는 모바일 사용자들에게 상당한 이점들을 제공하면서 설계의 크기, 비용, 전력을 절감시킨다. 페어차일드의 모바일 IP는 현재 사용되고 있는 대다수의 단말기에 적용되고 있다.

Fairchild Semiconductor: Solutions for Your Success™

가격: 1,000개 공급물량 기준 개당 가격

FDMA910PZ: 0.36달러
FDME910PZT: 0.33달러

요청 시 샘플 제공 가능

배송: 주문 접수 후 8~12주

연락처:
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