<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><rss version="2.0"><channel><title><![CDATA[Nexperia 보도자료 - 뉴스와이어]]></title><link>https://www.newswire.co.kr/?md=A10&amp;act=article&amp;no=28580></link><description><![CDATA[Nexperia 보도자료 - 뉴스와이어 RSS 서비스]]></description><lastBuildDate>Fri, 17 Apr 2026 01:23:17 +0900</lastBuildDate><copyright>Copyright (c) 2004~2026 Korea Newswire All rights reserved</copyright><image><url><![CDATA[https://file.newswire.co.kr/data/upfile/company_img/2017/09/12_3698601005_20170919104324_9516306079.jpg]]></url></image><language>ko-KR</language><item><title><![CDATA[넥스페리아, 업계 선도적 성능의 고효율 GaN FET 출시]]></title><link>https://www.newswire.co.kr/newsRead.php?no=897550</link><description><![CDATA[네이메헌, 네덜란드--(Business Wire/뉴스와이어)--디스크리트와 MOSFET 소자, 아날로그 및 로직 IC 전문기업인 넥스페리아 (Nexperia)가 ±20V의 VGS(게이트-소스 전압)과 -55°C~+175°C의 동작 온도 범위를 지원하는 650V GAN063-650WSA 디바이스를 출시하고 GaN(gallium nitride) FET 시장에 본격 진출한다고 밝혔다.  신제품 GAN063-650WSA는 60mΩ 이하의 낮은 RDS(on) 저항과 빠른 스위칭 속도를 통해 매우 뛰어난 효율을 ...]]></description><pubDate>Wed, 20 Nov 2019 09:25:26 +0900</pubDate></item><item><title><![CDATA[Nexperia Launches High-efficiency GaN FET with Industry-leading Performance]]></title><link>https://www.newswire.co.kr/newsRead.php?no=897548</link><description><![CDATA[NIJMEGEN, the Netherlands--(Business Wire/Korea Newswire)--Nexperia, the expert in discrete and MOSFET components and analog &amp; logic ICs, today announced its entry into the gallium nitride (GaN) FET market with the introduction of the 650 volt GAN063-650WSA, a very robust device with a gate-source voltage (VGS) of +/- 20 V and a temperature range of -55 to +175 °C. The GAN063-650WSA features a low R...]]></description><pubDate>Wed, 20 Nov 2019 09:03:36 +0900</pubDate></item><item><title><![CDATA[넥스페리아, 독립회사 출범 후 고속성장]]></title><link>https://www.newswire.co.kr/newsRead.php?no=884426</link><description><![CDATA[네이메헌, 네덜란드--(Business Wire/뉴스와이어)--디스크리트, 로직 및 파워 MOSFET 디바이스 분야의 글로벌 리더인 넥스페리아 (Nexperia)가 독립 회사로 출범 한 지 2년 만에 35% 이상의 성장률을 달성하면서 괄목할 만한 성과를 거두고 있다고 발표했다.  넥스페리아는 더 많은 신제품을 출시하고 있으며 부품 생산 능력도 연간 1000억개 이상으로 확대해 나가고 있다. 넥스페리아의 투자 확대는 고객 수요를 충족시킬 수...]]></description><pubDate>Wed, 06 Mar 2019 10:15:00 +0900</pubDate></item><item><title><![CDATA[넥스페리아, 자동화 검사가 가능한  소형 Leadless 패키지, 175°C, AEC-Q101 MOSFET 신제품 발표]]></title><link>https://www.newswire.co.kr/newsRead.php?no=875929</link><description><![CDATA[네이마헌, 네덜란드--(Business Wire/뉴스와이어)--디스크리트, 로직 및 MOSFET 디바이스 분야의 글로벌 리더인 넥스페리아 (Nexperia)는 업계 최초로 최대 175°C에서 사용이 가능하고, AOI- 호환 DFN2020 패키지(DFN = Discrete Flat No leads)로 제공되는 AEC-Q101 인증 MOSFET을 발표했다. 이 신제품은 크기가 불과 2mm x 2mm로, SOT223이나 SO8 패키지보다 훨씬 작고 가벼우면서도 비슷한 전기적 및 열 성능을 제공하는 ...]]></description><pubDate>Thu, 20 Sep 2018 11:15:00 +0900</pubDate></item><item><title><![CDATA[넥스페리아, 스텝다운 마스크없이 사용 가능한 최소형 로직 패키지 발표]]></title><link>https://www.newswire.co.kr/newsRead.php?no=874638</link><description><![CDATA[네이메헌, 네덜란드--(Business Wire/뉴스와이어)--디스크리트, 로직 및 MOSFET 디바이스 분야의 글로벌 리더인 넥스페리아(Nexperia)가 가격이 높고 내구성이 약한 스텝다운(step-down) 마스크 없이도 사용할 수 있는 가장 작은 로직 패키지인 4핀 X2SON4 패키지를 발표했다.  이로써 더욱 빠르고, 쉽고, 신뢰성이 높으며 비용 효율적인 PCB 어셈블리를 기대할 수 있게 됐다.   넥스페리아는 로직 기능을 위한 최소 공간을 ...]]></description><pubDate>Wed, 29 Aug 2018 14:55:00 +0900</pubDate></item><item><title><![CDATA[Nexperia Introduces New Generation of High Performance In-Vehicle Network Protection Diodes]]></title><link>https://www.newswire.co.kr/newsRead.php?no=861659</link><description><![CDATA[NIJMEGEN, the Netherlands--(Business Wire/Korea Newswire)--Nexperia, the former Standard Products division of NXP, today announced a new generation of in-vehicle network (IVN) protection diodes that offer a higher surge current, greater ESD robustness and a significant improvement in ESD clamping performance. The new AEC-Q101 qualified PESDxIVN series of surface mount devices is optimized for the latest...]]></description><pubDate>Fri, 15 Dec 2017 10:35:00 +0900</pubDate></item><item><title><![CDATA[넥스페리아, 고성능 IVN 보호 다이오드 신제품 출시]]></title><link>https://www.newswire.co.kr/newsRead.php?no=861661</link><description><![CDATA[네이메헌, 네덜란드--(Business Wire/뉴스와이어)--넥스페리아(구 NXP 표준(스탠다드) 제품 사업부)가 더 높은 서지 전류, 보다 우수한 ESD 보호, 그리고 대폭 향상된 ESD 클램핑 성능을 제공하는 IVN(in-vehicle network, 차량 내 네트워크) 보호 다이오드 신제품을 출시한다고 밝혔다. AEC-Q101 인증을 획득한 PESDxIVN 시리즈 신제품은 자동차용 최신 CAN, LIN, FlexRay 트랜시버에 최적화되어 있다.   신제품은 일반적인 ...]]></description><pubDate>Fri, 15 Dec 2017 10:35:00 +0900</pubDate></item><item><title><![CDATA[Nexperia extends its leadership with the launch of 80 V Automotive LFPAK56D dual Power MOSFETs for ultimate space efficiency]]></title><link>https://www.newswire.co.kr/newsRead.php?no=857248</link><description><![CDATA[NIJMEGEN, the Netherlands--(Business Wire/Korea Newswire)--Nexperia, the former Standard Products division of NXP, today announced a new range of 80 V dual Power-SO8 MOSFETs in the popular LFPAK56D package. With the addition of this new 80 V range of MOSFETs Nexperia now offers the industry’s most comprehensive portfolio of devices, ranging from 30 V to 100 V. LFPAK56D is fully automotive qualified to A...]]></description><pubDate>Thu, 28 Sep 2017 17:00:00 +0900</pubDate></item><item><title><![CDATA[넥스페리아, 공간 효율성 극대화한 자동차용 80V LFPAK56D 듀얼 파워 MOSFET 출시]]></title><link>https://www.newswire.co.kr/newsRead.php?no=857249</link><description><![CDATA[네이메헌, 네덜란드--(Business Wire/뉴스와이어)--넥스페리아(구 NXP 표준 제품 사업부)는 80V 듀얼 Power-SO8 MOSFET 신제품을 현재 시장에서 널리 사용되고 있는 LFPAK56D 패키지로 공급한다고 발표했다.  이번 80V MOSFET 신제품을 추가함으로써 넥스페리아는 30V~100V 범위까지 업계에서 가장 포괄적인 제품 포트폴리오를 제공하게 됐다. LFPAK56D는 자동차용 품질표준인 AEC-Q101을 완벽하게 준수하며, 품질과 신뢰성을...]]></description><image><url><![CDATA[https://file.newswire.co.kr/data/datafile2/thumb/2017/09/3698601005_20170928165832_2477045691.jpg]]></url></image><pubDate>Thu, 28 Sep 2017 17:00:00 +0900</pubDate></item><item><title><![CDATA[AEC-Q101 Trench 9 MOSFETs in Robust Packages from Nexperia Save Space, Deliver High Performance and Ruggedness]]></title><link>https://www.newswire.co.kr/newsRead.php?no=856477</link><description><![CDATA[NIJMEGEN, the Netherlands--(Business Wire/Korea Newswire)--Nexperia, the former Standard Products division of NXP, today announces a new series of Trench 9 power MOSFETs, targeted primarily at the automotive industry, which combine the company’s low voltage superjunction technology with its advanced packaging capability to deliver high performance and ruggedness. Five years ago, the company introduced t...]]></description><pubDate>Tue, 19 Sep 2017 10:50:00 +0900</pubDate></item><item><title><![CDATA[넥스페리아, 견고한 패키지의 AEC-Q101 Trench 9 MOSFET 출시]]></title><link>https://www.newswire.co.kr/newsRead.php?no=856479</link><description><![CDATA[네이메헌, 네덜란드--(Business Wire/뉴스와이어)--넥스페리아(구 NXP 표준 제품 사업부)가 자동차 시장을 겨냥한 새로운 Trench 9  MOSFET 시리즈를 출시한다고 밝혔다.  이들 제품은 저전압 초접합(superjunction) 기술과 고급 패키징이 결합되어 고성능을 제공하면서 내구성이 뛰어난 것이 특징이다. 넥스페리아는 5년전에 업계에서 가장 광범위한 자동차 인증을 획득한 파워 SO8 MOSFET 제품군을 출시한 바 있다. 현재 넥...]]></description><image><url><![CDATA[https://file.newswire.co.kr/data/datafile2/thumb/2017/09/3698601005_20170919105519_6187576318.jpg]]></url></image><pubDate>Tue, 19 Sep 2017 10:50:00 +0900</pubDate></item><item><title><![CDATA[Nexperia Combines EMI and ESD Protection for Usb 3.1 Type C, HDMI 2.0 and MIPI M-PHY Systems in Single Package with Tiny Footprint]]></title><link>https://www.newswire.co.kr/newsRead.php?no=846797</link><description><![CDATA[NIJMEGEN, Netherlands--(Business Wire/Korea Newswire)--Nexperia, the former Standard Products division of NXP, announced today three new series of common mode EMI filters with integrated ESD protection: PCMFxUSB3S, PCMFxHDMI2S and PESDxUSB3S, which provide support for USB 3.1 Type C, HDMI 2.0 and MIPI M-PHY interfaces. Using the same footprint, Nexperia’s industry-leading TrEOS ESD protection diodes...]]></description><pubDate>Fri, 17 Mar 2017 09:30:00 +0900</pubDate></item><item><title><![CDATA[넥스페리아, EMI와 ESD 보호 기능을 통합한 Usb 3.1 C타입, HDMI 2.0 및 MIPI M-PHY 시스템용 소형 단일 패키지 출시]]></title><link>https://www.newswire.co.kr/newsRead.php?no=846798</link><description><![CDATA[네이메헌, 네덜란드--(Business Wire/뉴스와이어)--전 NXP 스탠다드 프로덕트(Standard Products) 사업부인 넥스페리아(Nexperia)가 ESD 보호 기능이 통합된 다음 3개의 새로운 공통모드(common mode) EMI 필터 시리즈를 14일 공개했다.  PCMFxUSB3S, PCMFxHDMI2S 및 PESDxUSB3S는 USB 3.1 C타입, HDMI 2.0 그리고 MIPI M-PHY 인터페이스를 지원한다. 넥스페리아의 업계를 선도하는 TrEOS ESD 보호 다이오드는 동일한 풋프린...]]></description><image><url><![CDATA[https://file.newswire.co.kr/data/datafile2/thumb/2017/03/3698601005_20170317093022_6242171341.jpg]]></url></image><pubDate>Fri, 17 Mar 2017 09:30:00 +0900</pubDate></item><item><title><![CDATA[Nexperia Announces 80% Smaller Automotive Power MOSFET Package]]></title><link>https://www.newswire.co.kr/newsRead.php?no=846745</link><description><![CDATA[NIJMEGEN, Netherlands--(Business Wire/Korea Newswire)--Nexperia, the former Standard Products division of NXP, today announced the availability of its automotive power MOSFETs in the new, LFPAK33, thermally-enhanced, loss-free package which has a footprint more than 80 percent smaller than industry standard devices. LFPAK33 devices also feature a significantly lower resistance responding to growing ...]]></description><pubDate>Thu, 16 Mar 2017 09:25:00 +0900</pubDate></item><item><title><![CDATA[넥스페리아, 80% 작은 크기의 자동차용 전력 모스펫 패키지 출시]]></title><link>https://www.newswire.co.kr/newsRead.php?no=846746</link><description><![CDATA[네이메헌, 네덜란드--(Business Wire/뉴스와이어)--전 NXP 스탠다드 프로덕트(Standard Products) 사업부인 넥스페리아(Nexperia)가 업계 표준 기기보다 80% 이상 작은 새로운 열 강화 무손실 자동차용 전력 모스펫(power MOSFET) 패키지 LFPAK33을 출시한다고 14일 발표했다.  LFPAK33 기기는 에너지 효율과 신뢰성을 지속적으로 개선하면서도 모듈의 크기를 줄여달라는 업계의 계속되는 요청에 응답해 저항을 현저히 낮춘 ...]]></description><image><url><![CDATA[https://file.newswire.co.kr/data/datafile2/thumb/2017/03/3698601005_20170316092058_8799953862.jpg]]></url></image><pubDate>Thu, 16 Mar 2017 09:25:00 +0900</pubDate></item><item><title><![CDATA[넥스페리아, 디스크리트·로직 및 MOSFET 분야의 새로운 강자로 부상]]></title><link>https://www.newswire.co.kr/newsRead.php?no=844839</link><description><![CDATA[서울--(뉴스와이어)--前 NXP 스탠다드 제품 사업부인 넥스페리아(Nexperia)가 모든 절차를 완료하고 독립 법인으로서 정식 출범한다고 발표했다.   넥스페리아는 디스크리트, 로직 및 MOSFET 분야의 세계 선도의 독립 기업으로 NXP 사업부의 모든 전문성, 제조 자원 및 핵심 인력을 그대로 유지하는 동시에 이들 제품 분야에 대한 확고한 의지와 새로운 집중 분야를 제시하고 있다. 넥스페리아는...]]></description><pubDate>Thu, 09 Feb 2017 13:47:58 +0900</pubDate></item></channel></rss>