<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><rss version="2.0"><channel><title><![CDATA[BeSang Inc 보도자료 - 뉴스와이어]]></title><link>https://www.newswire.co.kr/?md=A10&amp;act=article&amp;no=9273></link><description><![CDATA[BeSang Inc 보도자료 - 뉴스와이어 RSS 서비스]]></description><lastBuildDate>Thu, 18 Jun 2026 15:40:43 +0900</lastBuildDate><copyright>Copyright (c) 2004~2026 Korea Newswire All rights reserved</copyright><image><url><![CDATA[https://file.newswire.co.kr/data/upfile/company_img/2007/01/2007012411696066710.42164900.gif]]></url></image><language>ko-KR</language><item><title><![CDATA[재미 한인과학기술자들이 설립한 BeSANG, 고집적 3차원 수직형 플레시 메모리 개발]]></title><link>https://www.newswire.co.kr/newsRead.php?no=221711</link><description><![CDATA[오레곤, 미국--(뉴스와이어)--재미 한인 과학기술자들이 주축이 되어 미국 포틀렌드 오레곤에 설립한 반도체 벤처 회사인 BeSang Inc.(대표이사 이상윤, )가 새로운 고집적 3차원 플레시 메모리 기술을 성공적으로 개발하였다.   이번에 개발된 플레시 메모리 기술은 기존에 사용되는 수평구조의 셀(메모리에서 정보를 저장하는 최소 단위)을 고집적이 가능한 수직구조의 셀로 배열하였으며 (사진 참조),...]]></description><image><url><![CDATA[https://file.newswire.co.kr/data/datafile2/thumb/2007/01/2007012511696945500.39292100.jpg]]></url></image><pubDate>Fri, 26 Jan 2007 06:00:00 +0900</pubDate></item><item><title><![CDATA[BeSANG Developed High Density Vertical Flash Memory]]></title><link>https://www.newswire.co.kr/newsRead.php?no=221714</link><description><![CDATA[Portland, Oregon--(뉴스와이어)--BeSang Inc., a fabless start-up semiconductor IP company based in Portland, OR, has successfully demonstrated its multi-bit vertical flash memory technology. Combining a 4F2 physical memory cell area and 2-bit per cell memory technology, the flash memory has 2F2 cell density, where “F” refers to the minimum device feature size. BeSang's single-c...]]></description><image><url><![CDATA[https://file.newswire.co.kr/data/datafile2/thumb/2007/01/2007012511696967450.69420100.jpg]]></url></image><pubDate>Fri, 26 Jan 2007 06:00:00 +0900</pubDate></item></channel></rss>