Transphorm Inc. 뉴스

트랜스폼, 멀티 킬로와트급 애플리케이션용 GaN 전력 장치 출하량 50만개 돌파

최상의 안정성을 구현하고 최초로 JEDEC(국제반도체표준협의기구) 및 AEC-Q101 인증을 획득한 650V 질화갈륨(GaN) 반도체를 설계, 제조하며 업계를 선도하고 있는 트랜스폼(Transphorm Inc.)이 자사의 고전압 GaN 전계효과 트랜지스터(FET) 출하량이 50만개를 넘어섰다고 발표했다. 우수한 품질과 안정성을 갖춘 트랜스폼의 GaN

11월 8일 15:22

Transphorm Ships Over Half a Million GaN Power Devices for Multi-kilowatt Class Applications

Transphorm Inc.—the leader in the design and manufacturing of the highest reliability and first JEDEC- and AEC-Q101 qualified 650 V gallium nitride (GaN) semiconductors—disclosed that it has shipped m

11월 8일 15:08

트랜스폼과 마우저 일렉트로닉스, 글로벌 유통 협약 발표

최고의 신뢰성을 자랑하는 고압 질화갈륨(GaN) 반도체를 설계 및 제조하는 선도기업 트랜스폼(Transphorm Inc.)이 신형 반도체 및 전자제품의 공인된 글로벌 유통업체 마우저 일렉트로닉스(Mouser Electronics)와 글로벌 유통 협약을 체결했다고 17일 발표했다. 이 협약에 따라 마우저는 트랜스폼의 JEDEC- 및 AEC-Q101 승인

9월 20일 17:16

Transphorm and Mouser Electronics Announce Global Distribution Agreement

Transphorm Inc.—the leader in the design and manufacturing of the highest reliability high-voltage (HV) Gallium Nitride (GaN) semiconductors—today announced it has signed a global distribution agreeme

9월 20일 17:13

트랜스폼, 차세대 제품군에 GaN FET 2종 추가

최고의 신뢰도를 자랑하는 고전압(HV) 질화갈륨(GaN) 반도체 설계 및 제조 분야를 선도하는 트랜스폼(Transphorm Inc.)이 자사 최초의 3세대 PQFN88 트랜지스터를 11일 발표했다. 신제품 650V 트랜지스터 소자는 TP65H070LSG(소스 탭)과 TP65H070LDG(드레인 탭) 등 두 가지 버전으로 출시되며 72 밀리옴의 온저항을

9월 16일 11:39

Transphorm Adds Two More GaN FETs to Its Gen III Product Line

Transphorm Inc.—the leader in the design and manufacturing of the highest reliability high-voltage (HV) Gallium Nitride (GaN) semiconductors—today announced its first Gen III PQFN88 transistors. The n

9월 16일 11:32

Transphorm Strengthens 900 V GaN Portfolio with Second FET

Transphorm Inc.—the leader in the design and manufacturing of the highest reliability high-voltage (HV) Gallium Nitride (GaN) semiconductors—today introduced its second 900 V FET, the Gen III TP90H050

6월 25일 22:00

트랜스폼, 900V FET 신제품 출시… 900V GaN 포트폴리오 확대

신뢰성이 가장 높은 고전압(HV) 질화갈륨(Gallium Nitride, GaN) 반도체를 설계·제조하는 트랜스폼(Transphorm Inc.)이 두 번째 3세대 900V FET ‘TP90H050WS’를 25일 출시하며 업계 유일의 900V GaN 제품군을 보강했다. 3상 산업 시스템 및 고전압 자동차 전자장치가 트랜스폼의 900V GaN 제품군을 활

6월 25일 22:00

Transphorm’s Gen III JEDEC-Qualified GaN to Power Wentai’s New 1.6 kW Titanium ATX PC Gaming Power Supply

Transphorm Inc.—the leader in the design and manufacturing of the highest reliability, first JEDEC- and AEC-Q101 qualified high-voltage (HV) Gallium Nitride (GaN) semiconductors—today confirmed that T

5월 29일 11:00

트랜스폼의 Gen III JEDEC 인증 GaN, 웬타이의 신제품 1.6 kW 티타늄 ATX PC 게임용 전원공급장치에서 채택

대만의 OEM 업체 웬타이 테크놀로지 코퍼레이션(Wentai Technology Corporation)이 에이단(Aidan)이라는 티타늄 ATX 게임용 전원공급장치 시리즈를 개발했다고 JEDEV 및 AEC-Q101 인증을 최초로 획득하고 최고 수준의 신뢰도를 보여주는 고전압 질화갈륨(GaN) 반도체를 설계, 제조하는 선도적 기업 트랜스폼(Transphorm

5월 29일 11:00

Transphorm’s Gen III GaN Platform Earns Automotive Qualification

Transphorm Inc.—the leader in the design and manufacturing of the highest reliability and first JEDEC- and AEC-Q101 qualified 650 V gallium nitride (GaN) semiconductors—today announced that its third

2월 28일 13:15

트랜스폼의 3세대 고전압 GaN 플랫폼, 자동차 등급 AEC-Q101 인증 획득

고신뢰성 650V 질화갈륨(Gallium Nitride, GaN) 반도체를 제조하며 업계최초 JEDEC 및 AEC-Q101 인증을 획득한 트랜스폼(Transphorm Inc.)의 JEDEC 인증 3세대 고전압 GaN 플랫폼이 AEC(Automotive Electronics Council)의 자동차 등급 디스크리트(Discrete) 반도체용 AEC-Q101

2월 28일 13:15

Transphorm Releases Quality and Reliability Data Behind Recently Announced Device Shipment Numbers

Transphorm Inc.—the leader in the design and manufacturing of the highest reliability and first JEDEC- and AEC-Q101 qualified 650 V gallium nitride (GaN) semiconductors—today announced the industry’s

2월 1일 13:40

트랜스폼, 최근 디바이스 출시량을 발표한 데 이어 품질 및 신뢰성 데이터 발표

신뢰도가 가장 높은 최초의 JEDEC및AEC-Q101인증650 V 질화갈륨(GaN) 반도체를 설계, 제조하는 선도기업인 트랜스폼(Transphorm Inc.)이 업계 최초로 600V 이상 범위의 GaN전계효과 트랜지스터(FET)의 완전한 검증 데이터 세트를 31일 발표했다. 이것은 트랜스폼이 현재까지 25만개 이상의 GaN FET를 출시했다고 2018

2월 1일 13:40

TDK's Subsidiary TDK-Lambda Uses Transphorm GaN to Advance PFH Series AC-DC Power Supply

Transphorm Inc.—the leader in the design and manufacturing of the highest reliability and only qualified high-voltage (HV) Gallium Nitride (GaN) semiconductors—today confirmed that leading power suppl

1월 16일 17:30

TDK-람다, 트랜스폼 GaN 반도체 접목한 파워서플라이 신작 출시

TDK의 자회사이자 파워서플라이 분야의 선도업체인 TDK-람다(TDK-Lambda)가 첫 질화갈륨(GaN) 기반 AC-DC 파워서플라이를 15일 출시했다. 신뢰성이 가장 높고 유일하게 공인받은 고전압(HV) GaN 반도체를 설계·제조하는 트랜스폼(Transphorm Inc.)이 이 같은 사실을 확인했다. 모든 기능을 보유한 TDK-람다의 504W PF

1월 16일 17:30

Transphorm Ships Over a Quarter of a Million GaN Power Devices, Reaffirms High Volume Scalability

Transphorm Inc.—the leader in the design and manufacturing of the highest reliability and first JEDEC- and AEC-Q101 qualified 650 V gallium nitride (GaN) semiconductors—disclosed that it has shipped m

2018년 12월 17일 11:40

트랜스폼, GaN FET 출하량 25만개 돌파… 파운드리 생산능력 확장성 재확인

고신뢰성 650V 질화갈륨(Gallium Nitride, GaN) 반도체를 설계·제조하는 트랜스폼(Transphorm Inc.)이 25만개가 넘는 고전압 GaN FET를 출하했다고 발표했다. 고객들의 양산형 애플리케이션에 사용되는 본 FET는 업계최초 JEDEC와 AEC-Q101 인증을 받았으며, 일본 아이즈 소재 웨이퍼 파운드리 공장에서 생산된다.

2018년 12월 17일 11:40

Delta Electronics Shrinks Power Supply with Transphorm’s High-Voltage GaN FETs

Transphorm Inc. and Delta Electronics disclosed today that the power supply unit (PSU) manufacturer’s newest innovation comes from practical use of Transphorm’s high-voltage (HV) GaN FETs. Delta’s lat

2018년 9월 18일 21:00

델타 일렉트로닉스, 트랜스폼의 고전압 GaN FET로 전원공급장치 크기 줄여

고전압 전원공급장치(power supply unit, PSU) 제조업체가 트랜스폼의 질화갈륨 전계효과 트랜지스터(GaN FET)를 실제로 사용하면서 새로운 혁신을 이루어 낸 것으로 나타났다고 트랜스폼(Transphorm Inc.)과 델타 일렉트로닉스(Delta Electronics)가 18일 밝혔다. 델타 제품 중 규모가 가장 큰 80플러스 플래티넘

2018년 9월 18일 21:00

Seasonic’s New High Efficiency 1.6 kW Platform for Broad Power Supply Portfolio Use Built With Transphorm GaN

Transphorm Inc.— the leader in the design and manufacturing of the highest reliability and first JEDEC- and AEC-Q101 qualified gallium nitride (GaN) semiconductors—today announced that Seasonic Electr

2018년 6월 12일 10:00

Seasonic의 광범위 전원 공급장치용 고효율 1.6kW 플랫폼, Transphorm GaN 내장

최고의 신뢰도를 자랑하는 최초의 JEDEC/AEC-Q101 적격 질화 갈륨(GaN) 반도체의 설계 및 제조를 선도하는 기업 Transphorm Inc.이 Seasonic Electronics Co.가 새로운 1600와트(W) 무브릿지 토템폴 역률 보정(PFC) 플랫폼인 1600T에 Transphorm의 고전압(HV) GaN FET를 적용하기로 했다고 12일