트랜스폼-알레그로 마이크로 시스템즈, 고전력 응용 분야에 사용되는 GaN 전력 시스템의 성능 향상 위해 협력
목적 맞춤형 절연 게이트 드라이버 통해 데이터 센터, 신재생 에너지, 전기차에 진보된 GaN 반도체 도입 가속화
다양한 토폴로지에서 사용할 수 있도록 설계된 트랜스폼의 SuperGaN FET는 여러 제품군으로 출시되어 광범위한 범위의 전력을 지원하는 동시에 다양한 최종 응용 분야의 요구 사항을 충족한다. SuperGaN FET는 고출력 시스템의 안정성과 전력 밀도, 효율성을 눈에 띄게 증가시켰으며, 이외에도 다양한 상업용 제품에 사용된다.
알레그로의 자체 전원 공급형 단채널 절연 게이트 드라이버 IC는 다양한 응용 분야 및 회로에서 GaN FET를 작동시키는 데 최적화되어 있다. 경쟁 게이트 드라이버와 비교했을 때, AHV85110은 드라이버 효율성을 50% 가까이 개선한 것으로 입증되었다. 이 독특한 솔루션은 시장에 출시된 다른 솔루션에 비해 시스템 설계를 크게 단순화하며, 노이즈를 10배 가까이 줄이고, 공통 모드 전기 용량을 15배 감소시킨다.
트랜스폼의 전 세계 판매 및 FAE 부사장인 투샤르 다야구드(Tushar Dhayagude)는 “알레그로의 AHV85110 고전압 게이트 드라이버는 매우 콤팩트하며 효과적인 파워 스테이지 구현을 제공한다”며 “이는 트랜스폼의 전력 장치에서 설치 공간을 30% 감소시켜 외부 부품 수와 바이어스 공급 요구 사항을 최소화한다”고 말했다. 또한 그는 “경쟁 기술 대비 최고의 안정성과 우수한 동적 스위칭 성능을 보여 주는 SuperGaN의 기술을 결합하면 서버, 데이터 센터, 신재생 에너지, 전기차 등 중요한 응용 분야에서 전력 밀도를 증가시키며, 보다 효율적이고 견고한 솔루션을 제공할 수 있을 것”이라고 덧붙였다.
알레그로 마이크로시스템즈 고전압 분야 부사장이자 책임자인 비자이 망타니(Vijay Mangtani)는 “트랜스폼과 협력을 진행하게 되어 기쁘다”며 “이를 통해 알레그로는 소비자의 GaN 기반 시스템 개발과 설계 최적화를 지원하는 데 보다 집중할 수 있다”고 말했다. 이어 그는 “자사의 고전압 절연 게이트 드라이버 AHV85110과 트랜스폼의 SuperGaN FET를 결합할 날을 꿈꿔 왔다”면서 “보다 소형화된 폼팩터에서 더 높은 전력 밀도, 더 높은 효율성, 더 높은 전력 출력이 가능해질 것이고, 이는 당사와 트랜스폼의 고객들에게 높은 가치를 제공할 수 있을 것으로 기대한다”고 덧붙였다.
알레그로의 APEK85110KNH-06-T 평가보드를 통해 이번 협력 솔루션을 테스트해 볼 수 있다. 이 평가보드에는 다양한 응용 분야에서 작동할 수 있도록 설계된 AHV85110과 트랜스폼이 최근 발표한 TOLL 제품군이 포함되고, TOLL 제품군은 세 종류의 온-저항(35, 50, 72밀리옴)을 가진 장치로 출시된다.
트랜스폼 소개
GaN 혁신의 글로벌 리더인 트랜스폼은 고전압 전력 변환 애플리케이션을 위한 고성능, 고신뢰성 GaN 반도체의 설계 및 제조에 주력하고 있다. 1000개 이상의 자사 보유 특허 또는 라이선스 특허로 이루어진 업계 최대 규모의 Power GaN IP 포트폴리오를 보유한 트랜스폼은 업계 최초로 JEDEC 및 AEC-Q101 인증을 받은 고전압 GaN 반도체 장치를 생산하고 있다. 당사의 수직 통합형 디바이스 비즈니스 모델은 설계, 제조, 디바이스, 애플리케이션 지원 등 전 개발 단계를 통틀어 혁신을 추구한다. 트랜스폼의 혁신은 실리콘의 한계를 뛰어넘어 전력 전자 디바이스의 효율을 99%까지 향상하고 전력 밀도를 50% 가까이 높이는 한편으로 시스템 비용은 20%까지 절감할 수 있다. 트랜스폼은 미국 캘리포니아주 골레타에 본사를 두고 있으며, 골레타와 일본 아이즈에서 제조시설을 운영한다. 자세한 정보는 www.transphormusa.com 에서 확인할 수 있다. 트랜스폼 트위터: @transphormusa, 위챗: @ Transphorm_GaN
SuperGaN 마크는 트랜스폼의 등록상표이다. 그 외 상표는 모두 해당 소유자의 자산이다.
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