트랜스폼의 상단 냉각식 TOLT FET, 컴퓨팅·AI·에너지·자동차 전력 시스템에 탁월한 열적·전기적 성능 제공
새로운 소자는 업계 최초 표준 상단 냉각식 TOLT GaN 트랜지스터로, 트랜스폼의 광범위한 패키지 옵션 포트폴리오가 다시 한번 확장
온저항 72밀리옴의 TP65H070G4RS 트랜지스터는 업계 최초로 JEDEC 표준(MO-332) TOLT 패키지에 제공되는 상단 냉각식 표면 실장 GaN 소자이다. TOLT 패키지는 시스템 요구 사항으로 인해 바닥면 냉각의 기존 표면 실장 소자를 사용할 수 없는 고객에게 열 관리의 유연성을 제공한다. TOLT의 열 성능은 보편적으로 사용되고 열적으로 견고한 TO-247 스루홀 패키지의 성능과 유사하며, SMD 기반 인쇄 회로 기판 어셈블리(printed circuit board assembly, PCBA)로 구현되는 고효율 제조 공정의 추가적인 이점을 제공한다.
TP65H070G4RS는 트랜스폼의 견고한 고성능 650볼트 노멀리 오프(normally-off) d-모드 GaN 플랫폼을 활용하여 낮은 게이트 전하, 출력 커패시턴스, 크로스오버 손실, 역회복 전하 및 동적 저항을 통해 실리콘, 탄화규소 및 기타 GaN 제품보다 향상된 효율을 제공한다. SuperGaN 플랫폼의 장점과 TOLT의 우수한 열 및 시스템 조립 유연성이 결합된 결과, 고성능·고신뢰성 GaN 솔루션이 탄생했으며, 이는 전반적으로 낮은 전력 시스템 비용으로 더 높은 전력 밀도와 효율성을 갖춘 전력 시스템을 시장에 출시하려는 고객에게 적합하다.
트랜스폼은 고전력 GaN을 위해 서버 및 스토리지 전력 분야의 선도적인 고객사, 에너지/마이크로인버터 분야의 글로벌 리더, 혁신적인 오프그리드 전력 솔루션 제조업체, 위성 통신 분야의 리더 등 여러 글로벌 파트너와 협력하고 있다.
트랜스폼의 비즈니스 개발 및 마케팅 수석부사장 필립 주크(Philip Zuk)는 “TOLL 및 TOLT와 같은 표면 실장 소자는 내부 인덕턴스 감소뿐 아니라 제조 중 기판 실장 간소화 등 다양한 이점을 제공한다. TOLT는 상단 냉각을 사용하여 스루홀과 같은 열 성능을 통해 전반적 열 관리에 더욱 유연성을 더한다”고 말했다. 그는 “이러한 소자는 고성능 컴퓨팅(서버, 통신, AI 전력), 재생 에너지 및 공업, 전기자동차 등 주요 시장 부문의 중·고전력 시스템 애플리케이션에서 흔히 볼 수 있으며, 이러한 분야 중 일부에는 현재 당사의 GaN 기술이 이미 사용되고 있다”며 “고객이 TOLT SuperGaN 솔루션을 통해 시스템 수준의 추가적인 이점을 실현할 수 있게 되어 매우 기쁘게 생각한다”고 덧붙였다.
오늘의 제품 출시는 트랜스폼이 최근 세 가지 새로운 TOLL FET을 출시한 데 이어 이루어졌다. TOLT를 추가함으로써 트랜스폼의 제품 제공 범위는 또 한 번 확장되었다. 이 제품의 출시는 가장 넓은 전력 범위에 걸쳐 다양한 패키지로 SuperGaN 플랫폼을 제공하여 고객의 기호를 지원하려는 트랜스폼의 노력을 반영한다.
장치 사양
SuperGaN 장치는 타의 추종을 불허하며, 다음과 같은 특성으로 시장을 선도한다.
· 0.05 FIT 미만의 신뢰성
· ±20V에서 게이트 안전 마진
· 4V에서 노이즈 내성
· e-모드 노멀리 오프 GaN보다 20% 낮은 온도 저항 계수(TCR)
· 표준 기성품 실리콘 드라이버를 통한 드라이브 유연성 확보
견고한 650V SuperGaN TOLT 소자는 JEDEC 인증을 받았다. 노멀리 오프 d-모드 플랫폼은 GaN HEMT를 통합 저전압 실리콘 MOSFET과 짝을 이루기 때문에 흔히 사용되는 기성품 게이트 드라이버로 SuperGaN FET을 쉽게 구동할 수 있다. 다양한 하드 및 소프트 스위칭 AC -DC, DC-DC, DC-AC 토폴로지에 사용할 수 있는 동시에 시스템 크기, 무게, 전체 비용을 줄이면서도 전력 밀도를 높일 수 있다.
(표의 내용은 pdf 참조. 다운로드: https://bit.ly/49bofD3)
가용성 및 지원 리소스
TP65H070G4RS SuperGaN TOLT 소자는 현재 샘플을 제공 중이다. 제품을 받으려면 https://www.transphormusa.com/en/products/ 로 요청하면 된다.
TP65H070G4RS 데이터시트 액세스: https://www.transphormusa.com/en/document/datasheet-tp65h070g4rs/
트랜스폼 소개
트랜스폼은 GaN 혁명의 글로벌 리더이며 고전압 전력 변환 애플리케이션을 위한 높은 안정성의 고성능 GaN 반도체를 설계 및 생산한다. 1000개 이상의 특허를 소유 또는 등록한 최신 전력 GaN IP 포트폴리오를 보유한 트랜스폼은 업계 최초로 JEDEC 및 AEC-Q101 적격 고전압 GaN 반도체 기기를 생산하고 있다. 이 회사의 수직적 통합 기기 비즈니스 모델은 설계, 패브리케이션, 기기 및 애플리케이션 지원까지 모든 개발 단계에 적용할 수 있다. 트랜스폼의 혁신을 통해 전력 전자 기기는 실리콘의 제한을 뛰어넘어 99%가 넘는 효율성, 50% 늘어난 전력 밀도 및 20% 낮아진 시스템 비용을 달성하게 되었다. 트랜스폼은 미국 캘리포니아주 골레타에 본사를 두고 있으며, 골레타와 일본 아이즈에 제조 시설을 운영 중이다. 웹페이지: www.transphormusa.com 팔로우: Twitter @transphormusa 및 WeChat @ Transphorm_GaN
SuperGaN 마크는 Transphorm, Inc.의 등록 상표이다. 기타 모든 상표는 해당 소유자의 재산이다.
이 보도자료는 해당 기업에서 원하는 언어로 작성한 원문을 한국어로 번역한 것이다. 그러므로 번역문의 정확한 사실 확인을 위해서는 원문 대조 절차를 거쳐야 한다. 처음 작성된 원문만이 공식적인 효력을 갖는 발표로 인정되며 모든 법적 책임은 원문에 한해 유효하다.
첨부자료:
트랜스폼.pdf
웹사이트: http://www.transphormusa.com/
연락처
트랜스폼(Transphorm)
언론 문의
헤더 아일라라(Heather Ailara)
+1.973.567.6040
heather.ailara@transphormusa.com
투자자 문의처
KCSA 스트래티직 커뮤니케이션(KCSA Strategic Communications)
데이비드 하노버(David Hanover)
잭 퍼킨스(Jack Perkins)
transphorm@kcsa.com
이 보도자료는 Transphorm, Inc.가(이) 작성해 뉴스와이어 서비스를 통해 배포한 뉴스입니다. 뉴스와이어는 편집 가이드라인을 준수합니다.
