트랜스폼, 4리드 TO-247 소자 두 종류 출시해 고전력 서버, 재생에너지, 산업 전력 변환용 제품 포트폴리오 확장
새로운 FET는 오리지널 설계 옵션 또는 SiC의 드롭인 대체품으로 사용 가능
트랜스폼의 4리드 SuperGaN 소자는 4리드 실리콘 및 SiC 솔루션의 오리지널 디자인 인(design-in) 옵션이나 드롭인(drop-in) 대체품으로 사용돼 다양한 데이터 센터, 재생에너지 및 광범위한 산업 애플리케이션에서 1킬로와트 이상의 전원 공급 장치를 지원할 수 있다. 앞서 언급했듯이 4리드 구성은 사용자에게 스위칭 성능을 추가로 향상할 수 있는 유연성을 제공한다. 하드 스위치 동기식 부스트 컨버터에서 35mΩ SuperGaN 4리드 FET는 비슷한 온 저항을 가진 SiC MOSFET 소자와 비교했을 때 손실이 50㎑에서 15%, 100㎑에서 27% 감소했다.
트랜스폼의 SuperGaN FET는 다음과 같은 차별화된 이점을 제공해 유명하다.
· +/- 20V 게이트 임계값과 4V 노이즈 내성으로 업계를 선도하는 견고성
· 소자 주변에 필요한 회로의 양을 줄여 더 용이해지는 설계
· FET는 실리콘 소자에 잘 알려진 일반적인 기성 드라이버와 페어링할 수 있어 더욱 편리한 구동성
TO-247-4L 소자는 다음과 같은 핵심 사양으로 동일한 견고성, 설계성, 구동성을 제공한다.
(표의 내용은 pdf 참조. 다운로드: https://bit.ly/3U7ebpI)
트랜스폼의 비즈니스 개발 및 마케팅 담당 수석부사장인 필립 주크(Philip Zuk)는 “트랜스폼은 GaN FET를 시장에 출시하기 위한 제품 포트폴리오를 지속적으로 확장해 고객이 어떤 설계 요구 사항에서든 SuperGaN 플랫폼의 성능 이점을 활용할 수 있도록 지원한다”며 “4리드 TO-247 패키지는 실리콘 또는 실리콘 카바이드 시스템에서 설계를 거의 또는 전혀 수정하지 않고도 훨씬 더 큰 전력 시스템 손실 감소를 원하는 설계자와 고객에게 유연성을 제공한다. 이 제품은 더 높은 전력 애플리케이션으로 확장하는 가운데 제품 라인에 추가된 중요한 제품”이라고 소개했다.
가용성
35mΩ 및 50mΩ TO-247-4L FET 샘플은 트랜스폼 영업팀(wwsales@transphormusa.com)으로 문의할 수 있다. 각 소자에 대한 데이터시트는 아래 링크에서 확인할 수 있다.
· TP65H035G4YS 데이터시트: https://www.transphormusa.com/en/document/data-sheet-tp65h035g4ys/
· TP65H050G4YS 데이터시트: https://www.transphormusa.com/en/document/data-sheet-tp65h050g4ys/
트랜스폼 소개
트랜스폼은 GaN 혁명의 글로벌 리더이며 고전압 전력 변환 애플리케이션을 위한 높은 안정성의 고성능 GaN 반도체를 설계 및 생산한다. 1000개 이상의 특허를 소유 또는 등록한 최신 전력 GaN IP 포트폴리오를 보유한 트랜스폼은 업계 최초로 JEDEC 및 AEC-Q101 적격 고전압 GaN 반도체 기기를 생산하고 있다. 이 회사의 수직적 통합 기기 비즈니스 모델은 설계, 패브리케이션, 기기 및 애플리케이션 지원까지 모든 개발 단계에 적용할 수 있다. 트랜스폼의 혁신을 통해 전력 전자 기기는 실리콘의 제한을 뛰어넘어 99%가 넘는 효율성, 50% 늘어난 전력 밀도 및 20% 낮아진 시스템 비용을 달성하게 됐다. 트랜스폼은 캘리포니아주 골레타에 본사를 두고 있으며 골레타와 일본 아이즈에 제조 시설을 운영 중이다.
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