트랜스폼의 슈퍼GaN, 고전력 시스템에서 SiC 및 e-모드 GaN 역량 능가

트랜스폼의 노멀리-오프 d-모드 플랫폼이 제공하는 더 낮은 손실, 더 높은 성능으로 전기자동차, 데이터 센터/AI 및 기타 다중 시장 전력 시스템과 획기적인 GaN 제품 혁신 가능

뉴스 제공
Transphorm, Inc. 나스닥 TGAN
2024-05-21 11:55
골레타, 캘리포니아--(Business Wire / 뉴스와이어)--견고한 GaN 전력 반도체 분야의 글로벌 리더인 트랜스폼(Transphorm, Inc.)(Nasdaq: TGAN)은 ‘PCIM 2024’ 쇼케이스에서 고전력 시스템에서 경쟁력 있는 와이드 밴드갭 기술을 능가할 수 있는 능력을 강조할 것이라고 밝혔다. 예를 들어 트랜스폼의 노멀리-오프 d-모드(normally-off d-mode) 슈퍼GaN®(SuperGaN®) 플랫폼은 더 높은 전자 이동도를 제공하여 실리콘 카바이드(Silicon Carbid)에 비해 더 낮은 크로스오버 손실을 가져옴으로써 다양한 전기자동차, 데이터 센터/AI, 인프라, 재생에너지 및 기타 광범위한 산업 응용 제품을 위한 비용 효율적이고 성능이 뛰어난 솔루션이 된다. 자세한 내용을 알려면 2024년 6월 11일부터 13일(현지시간)까지 열리는 PCIM 2024 기간 동안 홀 7, 전시대 108의 트랜스폼 부스를 방문하면 된다.

트랜스폼 슈퍼GaN FET(Transphorm SuperGaN FET)는 낮은 45W 전력 어댑터에서 고전력 7.5kW PSU에 이르기까지의 전력 스펙트럼을 아우르는 광범위한 고객 제품으로 생산되고 있다. 이러한 고객 제품들 중 다수는 공개적으로 인정된 자신의 종류에 속하는 최초의 GaN 기반 시스템이며, 슈퍼GaN 플랫폼에 의해서만 사용될 수 있는 이점을 고유하게 보여준다. 예시에는 임무에 중요한 데이터 센터/블록체인 애플리케이션을 위한 앞에서 언급한 수냉식 7.5kW PSU, > 82W/in3 전력 밀도의 2.7kW 서버 CRPS(현재 사용 가능한 모든 GaN 전력 시스템 중 최고) 및 2.2kW/3kW 랙 장착형 1U 무정전 전원 공급 장치(UPS)가 포함된다. 이러한 설계 성공은 2028년까지 약 80억달러의 GaN TAM을 구성하는 다양한 응용 분야 시장에 GaN을 진출시킬 수 있는 트랜스폼의 능력을 보여준다.

실제 고객 제품 외에도 트랜스폼은 최근에 5마이크로초 단락 내성 시간, 양방향 4사분면 스위치 및 1200V GaN-온-사파이어(GaN-on-Sapphire) 장치를 시연하면서 기술적 성과에서 지속적으로 선도하고 있다.

현장 시연에는 2륜 및 3륜 전기차 충전기용 트랜스폼 솔루션과 재생에너지 시스템, 데이터 센터 등을 위한 고객 PSU가 포함된다.

연설 참여

보도(Bodo)의 파워 시스템스(Power Systems) 세션 동안 트랜스폼의 GaN 솔루션이 어떻게 경쟁 기술을 능가하고 산업 간 혁신을 가능하게 하는지 자세히 알아볼 수 있다.

패널: GaN 와이드 밴드갭 설계, 전력의 미래
연사: 필립 주크(Philip Zuk), 비즈니스 개발 및 마케팅 담당 수석 부사장
날짜: 6월 12일(현지시간)
시간: 2:20 ~ 3:20 p.m. CEST
위치: 홀 7, 전시대 743
하나의 코어 플랫폼, 전력 스펙트럼 넘나들기

트랜스폼은 다음과 같은 기술로 차별화된 선도적인 GaN 전력 반도체 회사이다.

제조 가능성: EPI 설계, 웨이퍼 공정 및 FET 다이 설계를 소유하며 수직으로 통합됨.
설계성: 잘 알려진 산업 표준 패키지 및 성능 패키지를 제공하는 동시에 더 쉽고 빠른 시스템 개발을 위해 글로벌 고객과 협력한다.
주행성: 실리콘처럼 구동되고 기성 컨트롤러 및 드라이버와 쌍을 이루는 장치를 제공하면서도 최소한의 외부 회로망을 필요로 한다.
신뢰성: 저전력에서 고전력 응용 분야에서 3000억 시간 이상의 현장 작동 시간 동안 < 0.05의 현재 FIT 비율로 여전히 업계를 선도하고 있다.

트랜스폼과의 미팅

전시 기간 동안 트랜스폼과 미팅을 예약하려면 vipin.bothra@transphormusa.com 에 문의하면 된다.

트랜스폼 소개

GaN 혁명의 글로벌 리더인 트랜스폼은 고전압 전력 변환 애플리케이션을 위한 고성능 및 고신뢰도 GaN 반도체를 설계 및 제조한다. 1000개 이상의 소유 또는 라이선스 특허로 구성된 최대 규모의 Power GaN IP 포트폴리오 중 하나를 보유한 트랜스폼은 업계 최초의 JEDEC 및 AEC-Q101 인증 고전압 GaN 반도체 장치를 생산한다. 트랜스폼의 수직 통합 장치 비즈니스 모델은 설계, 제조, 장치 및 애플리케이션 지원과 같은 모든 개발 단계에서 혁신을 가능하게 한다. 트랜스폼의 혁신은 전력 전자 장치가 실리콘의 한계를 뛰어넘게 함으로써 99% 이상의 효율, 50% 이상의 전력 밀도 및 20% 더 낮은 시스템 비용을 달성한다. 트랜스폼은 미국 캘리포니아주 골레타에 본사를 두고 있으며 일본 골레타와 아이즈에 제조 시설을 두고 있다. 자세한 내용을 알려면 www.transphormusa.com 을 방문하면 된다. Twitter @transphormusa 및 WeChat @Transphorm_GaN에서 당사를 팔로우할 수 있다.

SuperGaN는 트랜스폼의 등록 상표이다. 다른 모든 상표는 각각의 해당 소유자의 재산이다.

이 보도자료는 해당 기업에서 원하는 언어로 작성한 원문을 한국어로 번역한 것이다. 그러므로 번역문의 정확한 사실 확인을 위해서는 원문 대조 절차를 거쳐야 한다. 처음 작성된 원문만이 공식적인 효력을 갖는 발표로 인정되며 모든 법적 책임은 원문에 한해 유효하다.

웹사이트: http://www.transphormusa.com/

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연락처

트랜스폼(Transphorm Inc.)
헤더 애일라라(Heather Ailara)
+1.973.567.6040
heather.ailara@transphormusa.com