도시바, TOLL 패키지 650V 3세대 SiC MOSFET 출시

산업용 장비의 효율성과 전력 밀도를 높이는 신규 디바이스 3종

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Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation 도쿄증권거래소 6502

2025-08-31 11:50

가와사키, 일본--(Business Wire / 뉴스와이어)--도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, 이하 도시바)가 최신[1] 3세대 SiC MOSFET 칩을 탑재하고 표면 실장 TOLL 패키지를 적용한 650V 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 3종을 출시했다. 이번 신제품은 스위치 모드 전원 공급 장치, 태양광 발전기용 파워 컨디셔너와 같은 산업용 장비에 적합하다. 신제품 ‘TW027U65C’, ‘TW048U65C’ 및 ‘TW083U65C’ 3종의 양산 출하를 시작한다.

이번 신제품은 도시바의 3세대 SiC MOSFET을 범용 표면 실장형 TOLL 패키지에 탑재한 것으로, TO-247, TO-247-4L(X)과 같은 스루홀(through-hole) 패키지 대비 부피를 80% 이상 줄여 장비의 전력 밀도를 높인다.

또한 TOLL 패키지는 스루홀 패키지보다 낮은 기생 임피던스[2]를 제공해 스위칭 손실을 줄이는 데 도움이 된다. 4단자[3] 패키지로 게이트 드라이브의 신호 소스 단자에 켈빈 연결(Kelvin connection)을 사용할 수 있다. 이는 패키지 내부 소스 와이어의 인덕턴스 영향을 줄여 고속 스위칭 성능을 구현하는 데 기여한다. 실제로 TW048U65C의 경우 턴온 손실과 턴오프 손실이 각각 약 55%와 25%[4] 낮아져(기존 도시바 제품[5] 대비) 장비의 전력 손실을 줄이는 데 도움이 된다.

도시바는 장비 효율 향상과 전력 용량 증가에 기여하기 위해 지속적으로 라인업을 확대할 계획이다.

주:

[1] 2025년 8월 기준
[2] 저항, 인덕턴스 등
[3] 신호 소스 단자가 FET 칩에 가깝게 연결된 제품
[4] 2025년 8월 기준 도시바 측정값. 자세한 내용은 도시바 웹사이트에 게재된 보도자료 원문 그림 1 참조
[5] 동등한 전압 및 온저항을 가지며 켈빈 연결이 없는 TO-247 패키지를 사용한 650V 3세대 SiC MOSFET 제품

응용 분야

· 서버, 데이터 센터, 통신 장비 등의 스위치 모드 전원 공급 장치
· 전기차 충전소
· 태양광 인버터
· 무정전 전원 공급 장치

특징

· 표면 실장형 TOLL 패키지: 장비 소형화 및 자동 조립을 지원하며, 낮은 스위칭 손실을 구현한다.
· 도시바 3세대 SiC MOSFET:
- 드리프트 저항과 채널 저항 비율 최적화로 드레인 소스 온 저항의 우수한 온도 의존성 실현
- 낮은 드레인 소스 온 저항×게이트 드레인 전하 지수
- 낮은 다이오드 순방향 전압: VDSF =-1.35V(typ.) (VGS =-5V)

신제품에 대한 자세한 내용은 아래 링크에서 확인할 수 있다.

TW027U65C
TW048U65C
TW083U65C

도시바의 SiC 전력 디바이스에 대한 자세한 내용은 아래 링크에서 확인할 수 있다.
SiC 전력 디바이스

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TW027U65C
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도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지 소개

첨단 반도체 및 스토리지 솔루션의 선도적 공급업체인 도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)는 반세기가 넘는 경험과 혁신을 바탕으로 고객과 비즈니스 파트너에게 뛰어난 개별 반도체, 시스템 LSI 및 HDD 제품을 제공한다.

세계 곳곳에 있는 1만9400명의 도시바 직원들은 모두 제품 가치를 극대화하고, 가치의 공동 창출 및 새로운 시장 개척에 있어 소비자와 긴밀히 협력하는 데 전념하고 있다. 당사는 전 세계인들을 위해 더 나은 미래를 만들고 이에 기여하고자 헌신하는 기업이다.

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