국내 연구팀, 차세대 메모리(ReRAM) 원천기술 세계최초 개발 성공

뉴스 제공

2005-12-08 11:38

서울--(뉴스와이어)--산업자원부 차세대 비휘발성 메모리사업단(단장 : 한양대 박재근 교수)은, 현재까지 플래시메모리의 단점으로 알려진 ①정보의 쓰기·지우기 시간이 느린 점, ②저장용량 32Gb급 이상의 제품생산은 기술적 문제에 부딪쳐 불투명한 점 등의 문제들을 극복할 수 있는 저항변화 메모리(ReRAM : Resistance Random Access Memory) 소자의 핵심 원천기술을 국내 연구팀(팀장 : 황현상 광주 과학기술원 교수)이 세계 최초로 개발에 성공하였다고 밝혔다.

금번에 성공한 기술개발의 주요 내용은, 데이터를 저장할 수 있는 메모리 특성 즉, ‘0(off)’과 ‘1(on)’ 상태를 번갈아 동작시킬 수 있는 핵심물질(단결정 스트론튬타이타늄옥사이드(SrTiO3)) 개발과 동 물질의 고유특성이 유지되도록 하는 표면처리공정 개발로 알려졌다.

연구팀에 따르면 동 물질과 공정을 통해 제작된 단위 소자(Cell)의 주요 특성은, 데이터의 저장상태가 10년 이상 유지되고, 천만번(107) 이상의 정보 쓰기·지우기 동작이 가능한 것으로 확인되어, 실용화의 가능성이 매우 높은 것으로 보임(*플래시메모리 : 정보저장10년, 쓰기·지우기 동작 십만번(105) )

동 물질과 공정에 대한 연구는 미국(IBM), 일본(Sharp) 등 선진국을 비롯하여 국내(삼성전자)에서도 추진 중이나, 아직까지 실용화가 가능한 수준의 연구 실적은 全無한 것으로 밝혀짐.

국내 연구팀에 의해 세계 최초로 안정화된 저항변화 물질과 공정 개발에 성공함에 따라,핵심 원천기술의 선점 및 테라비트(Tera bit)급 고용량의 차세대 메모리 상용화의 시기를 최소 2-3년 정도 앞당길 것으로 예상되어 2015년 세계반도체 2강으로 도약하는데 크게 기여할 것으로 전망됨(*기가(Giga)급 109, 테라(Tera)급 1012)

한편, 국내외 특허 및 저명한 학회의 논문 발표 등을 통해 동 연구 성과의 우수성이 확인되고 있음.

국내 특허의 경우 이미 2건이 출원된 상태이고, 미국, 일본 등 해외 특허도 출원을 준비하고 있으며, 특히, 반도체 소자분야에서 세계적으로 가장 저명한 학술회의로 알려진 국제전자소자회의(IEDM)에서도 선정되어 2005년 12월 7일(현지 시간) 미국 워싱턴 DC에서 발표될 예정임.

동 연구팀은 사업단(단장 : 박재근 교수)과 연계하여 세부과제를 추진하고 있는 광주과학기술원 황현상 교수(팀장) 등 5인으로 구성되었으며, 향후 실용화에 필요한 집적도와 관련한 연구를 본격적으로 추진할 예정임 * 현재 황 교수는 ‘4Gb ReRAM 원천기술 개발’이라는 세부과제(’04.7 - ’06.6, 총 3.5억 지원) 연구책임자로 활동 중임

웹사이트: http://www.mke.go.kr