ARM과 TSMC, 65 및 45 나노미터 공정용 Physical IP 장기 계약 체결

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2006-05-04 09:46

성남--(뉴스와이어)--디지털 핵심 기술 설계 분야 선두 기업인 ARM (대표: 김영섭) 과 세계 최대 파운드리 업체인 대만의 TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company)는 두 회사 간의 협력관계를 TSMC의 65-및 45-나노미터(nm) G프로세스를 지원하는 Artisan? Physical IP 제품군의 하나인 새로운 ARM? Advantage™ 제품 개발에까지 확대하는 장기계약을 체결하기로 합의하였다.

이번 합의로 고객들은 ARM의 액세스 라이브러리 프로그램 (Access Library Program)을 통해 첨단 TSMC 기술의 ARM? Advantage™ 제품을 사용할 수 있게 되었다.

ARM의 닐 카니(Neal Carney) Physical IP 마케팅 담당 부사장은 “이번 합의로 ARM 과 TSMC는 글로벌 설계 커뮤니티에게 우수한 미래 기술 기반을 확보할 수 있도록 하게 되었다. 양사는 고객들에게 설계에서 실리콘개발까지의 일련의 과정을 제공하기 위해 노력할 것을 약속하였다” 며 “ARM? Advantage™ IP의 포괄적인 제품군과 TSMC의 첨단 제조 기술이 결합하여 SoC 설계자의 성능 및 전력 관리에 관련된 요구조건을 충족하는 최첨단 솔루션을 제공할 수 있게 되었다”고 말했다.

TSMC의 에드 완(Ed Wan) 설계 서비스 마케팅 수석 담당자는 “TSMC 고객들은 이미 TSMC의65nm 기술에 대한 혜택을 누리고 있다. 점차 더 많은 설계자들이 이 기술로 옮겨가면서, 통합도가 높으면서 사용하기 편리한 IP 요건이 더욱 중요해 지고 있다” 며 ”ARM 액세스 라이브러리 프로그램으로 설계자들은 고부가가치를 가지며 위험도가 낮으며 훨씬 사용이 용이한 채택 경로를 구현할 수 있게 되었다”고 말했다.

ARM? Advantage™ IP는 소비자, 통신, 네트워킹 시장의 다양한 애플리케이션을 충족하기 위한 고속의 저전력 성능을 제공한다. ARM? Advantage™의 표준 셀에는 클럭 게이팅 (clock gating), 멀티 볼티지 아일랜드(multi-voltage islands), 파워 게이팅 (power gating) 등과 같은 누수 전력 절약 기술을 실현하는 전력 관리 키트(Power Management Kit)가 포함된다. 이와 비슷한 고급 전력 절약 기능은 다섯 개의 어드밴티지 메모리 컴파일러에 들어있다. 이러한 제품군들은 광범위한 전압에 대해서 타이밍 및 전력을 지원하는 특징을 갖고 있어, 설계자들은 다중 전압 설계를 정확하게 시뮬레이션 할 수 있다. 또한, ARM은 TSMC 넥시스 (Nexsys) I/O 제품을 판매 유통하여 완벽한 Physical IP를 제공하게 될 것이다.

ARM? Advantage™ IP는 업계 최고의 전자 디자인 자동화(EDA) 툴들과의 통합을 실현하는 ARM의 다양한 일련의 뷰(View) 및 모델을 포함하고 있다. 이러한 뷰는 광범위한 운영 환경에서 어드밴티지 제품에 기능, 타이밍, 전력 등의 정보를 제공하여 설계자들로 하여금 SoC내에서 누수 전력을 적극적으로 제어 하는 복잡한 전력 관리 실행을 가능하게 한다.

TSMC의 65나노미터 성공은 업계 최고의 0.13 마이크론 및 90나노미터 공정을 기반으로 구축되었다. TSMC는 65나노미터 생산이 2006년에 본격적으로 늘어날 것으로 추정하고 있다. TSMC는 또한 2달에 한번 65나노미터 시제품 셔틀을 출시하여 고객 및 EDA, IP, 라이브러리 공급자들이 최첨단 설계의 시제품을 만들고, 평가할 수 있도록 할 것이다.

TSMC의 65나노미터 NexsysSM 기술은 구리 인터커넥트 및 저 유전체(low-k dielectrics)를 이용하는 TSMC의 3세대 반도체 프로세스이다. 이는 9-레이어 금속 프로세스로 핵심 전압이 1.0 또는 1.2 볼트 이고I/O 전압이 1.8, 2.5 또는 3.3 볼트이다. 이 새로운 프로세스 기술은 TSMC의 넥시스 90나노미터 NexsysSM 프로세스 보다 밀도가 2배 높은 표준 셀 게이트를 지원한다.

또한 이는 매우 경쟁력이 높은 6T SRAM 및 1T 임베디드 DRAM 메모리 셀 사이즈의 특징을 갖고 있다. 게다가, 이 기술은 아날로그 및 무선 디자인 지원을 위한 혼합 시그널 및 무선 주파수 기능, 로직 및 메모리 지원을 위해 고밀도 임베디드 메모리, 고객의 암호화 요구를 지원하기 위한 전기 퓨즈 옵션 등이 포함된다.

웹사이트: http://www.arm.com