[수정]인텔, 저비용 핸드폰 시장을 위한 노아 플래시 메모리 제품 발표
인텔은 저렴한 가격의 핸드폰에 대한 시장 수요 증가에 부응하기 위해 플래시 메모리 신제품들을 소개하게 됐다. 휴대전화 업계 협력기구인 GSMA(GSM Association)는 휴대폰의 비싼 비용 때문에, 세계 인구의 약20% 만이 휴대전화를 사용하는 것으로 추산하고 있다.
인텔 플래시 제품 그룹을 총괄하는 다린 빌러벡(Darin Billerbeak) 부사장은 “이번 발표는 인텔이 가지고 있는 핸드셋용 노어 플래시 메모리에서의 입증된 리더십을 이제 저 비용 핸드셋 시장 영역까지 확대한다는 데 그 의미가 있다”라며, “핸드셋 제조사들은 제품 디자인에 따라 저 사양 제품을 위한 32Mb 밀도부터 멀티 미디어 핸드폰을 위한 1Gb 밀도까지 인텔이 제공하는 광범위한 노어 플래시 메모리 제품에서 선택할 수 있게 됐다”라고 말했다.
그는 또 “인텔은 저렴한 가격의 핸드셋 시장 영역에 지속적인 성장 기회가 있다고 보고 있으며, 제품 생산 공정을 130나노 및 90나노에서 2007년 65나노 공정 기술로 전환하는 작업을 진행 중이다.”라고 덧붙였다.
인텔의 저가형 핸드셋 시장 영역을 위한 제품들은 멀티 칩 패키지 안에 선택적으로 램(RAM)을 추가할 수 있는 32Mb 부터 256Mb까지 비용 효율적인 저밀도 노어 플래시로 구성된다. 이 제품들은 핸드폰 설계 과정을 간소화시키는 A/D Mux(Address-Data Multiplexed) 구성의 88-ball QUAD+ 패키지를 포함, 핸드폰 제조사들이 저렴한 설계 비용으로 더 빠르게 제품을 시장에 내놓을 수 있도록 한다. 또한 이번 메모리 솔루션은 A/D Mux 구성의 107-ball x 16c 패키지를 지원하게 될 것이다. 이 밖에 제품 설계 주기를 단축시키기 위하여 인텔은 디자인 가이드와 제품 데이터 시트 그리고 마이그레이션 가이드가 포함된 저렴한 휴대용 핸드셋 디자인 키트를 http://www.intel.com/design/flash/nor/lc_handset/overview.htm 에서 제공하고 있다. 단일 칩과 멀티 셀 (MLC) 패키지 모두 제공 가능한 이번 신제품들은 현재 고객들에게 샘플링하고 있으며, 올 3분기 중 양산하게 된다.
[수정내용]
노어 플래스 메모리의 사양이 34b밀도부터가 아닌 32b 밀도부터로 수정
