페어차일드 반도체, 저전압 전력 관리 애플리케이션을 최적화시키는 초소형 고성능 파워 MOSFET 출시
페어차일드의 FDZ191P는 상용화된 대부분의 저전압 애플리케이션의 파워 MOSFET 제품들보다 뛰어난 성능을 제공한다. 파워트렌치 (PowerTrench?) MOSFET인 FDZ191P는 페어차일드의 가장 최첨단 WL-CSP (wafer-level chip scale package)를 이용해, 뛰어난 온도 저항 (83C/W) 과 낮은 RDS(on) (4.5V에서 67mOhms)을 실현한다. 초소형 (1.0mm x 1.5mm x 0.65mm) 패키지로 이용할 수 있는 FDZ191P는 유사한 성능을 가진 부품과 비교해 적어도 30%까지 보드 공간을 감소시키며, 최대 패키지 높이가0.65mm로 고밀도 제품과 매우 얇은 소비 제품 설계에 이상적이다. 이 제품은 1.5V까지 작동 전압을 낮출 수 있으며, 이는 전력 관리 설계에서 중요한 성능이다. 또한, FDZ191P는 전세계 전자 애플리케이션이 요구하는 “친환경 (green)” 및 RoHS의 모든 표준을 준수한다.
저전압 전력 사업부의 크리스 윈클러 (Chris Winkler) 마케팅 이사는 “페어차일드의 FDZ191P는 초소형, 고성능 MOSFET 시장에 대한 관문을 설정한 가운데, 고밀도 MOSFET 반도체를 결합시킨 최첨단 패키징 기술 개발에 대한 페어차일드 전문 기술을 보여 준 좋은 예이다. 1.0mm 에 1.5mm WL-CSP 패키징으로 제공되는 페어차일드의 제품군은 설계자들에게 저전압 설계로 야기되는 공간 및 전력 관리 회로의 문제를 해결하는 이상적인 솔루션을 제공한다” 라고 말했다.
FDZ191P의 핵심적인 장점은 다음과 같다:
- 초소형 풋프린트/ 높이 - PCB 면적의 단지 1.5 mm2 만 차지하는 FDZ191P는 PCB에 실장될 때 높이가 0.65mm 미만으로, 다양한 고밀도 애플리케이션에 이상적이다.
- 뛰어난 온도/ 전기 성능 - FDZ191P는 뛰어난 온도 전도 특징 (1” x 1” 동 패드에 실장될 때 Rthja = 83C/W)을 제공한다. 이 제품은 휴대형 제품 (일반적인 RDS(on) 은 Vgs = 4.5V에서 67mOhms이며 Vg s= 2.5V에서 85mOhms이다)에 필요한 전력 관리 설계 요건을 준수한다.
- 고전력 및 전류 조절 성능 - 1” x 1” 동 패드에 실장 될 때, FDZ191P의 전력 소비 (Pd: power dissipation)가 1.5W이며 연속 드레인 전류가 3A이다.
- RoHS / 친환경 기준 준수 - FDZ191P는 전세계RoHS와 친환경 컴플라이언스 표준을 준수한다.
무연 (Pb-free)으로 공급되는 이 소자는 조인트 IPC/JEDEC 표준 J-STD-020C의 조건을 만족시키거나 그 이상을 능가하며 현재 발효 중인 EU 규제를 준수한다.
페어차일드코리아 개요
페어차일드코리아반도체는 국내 최대의 전력용 반도체 메이커로 미국 페어차일드의 한국 법인이다.
웹사이트: http://www.fairchildsemi.com
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2016년 9월 2일 11:07
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