다우코닝, TOK사와 공동으로 실리콘이 주입된 이중층 포토레지스트 개발
이처럼 획기적인 소재 개발의 성공은 포토레지스트 기술력과 193나노 리소그래피의 확장이라는 두 가지 측면 모두에서 볼 때 반도체 산업을 한 단계 향상시킬 수 있는 중요한 성과이다. TOK는 다우코닝의 첨단 실리콘 폴리머를 자사의 감광성 소재에 통합시키는데 성공하여 새로운 종류의 포토레지스트를 출시하게 되었다. 이 신소재는 하드마스크 층을 제거함으로써 서브 65나노 리소그래피용 솔루션의 비용 절감 효과를 기대할 수 있게 된다.
반도체 기술이 45나노 노드 이상의 193나노 리소그래피까지 발전하고 있는 상황에서 박형 이미징 층은 이상적인 해상도 및 공정 수단을 위해 필수적이다. 소형 회로 패턴을 타겟 웨이퍼에 성공적으로 전송하려면 식각 선택비를 향상시킬 필요가 있다. 유기 화학 기반의 현재의 포토레지스트는 요구되는 식각 선택비를 제공하지 못하므로 에칭 저항 효과를 제공하는 하드마스크 층은 물론 다른 레이어와 함께 주로 사용된다.
TOK를 통해 제공되는 새로운 포토레지스트는 리소그래피 공정 과정에서 가스를 배출하지 않는다. 노광공정 중의 소량의 화학물질 방출은 기존의 실리콘 함유 포토레지스트의 문제가 되어 왔으며, 이는 가스 배출을 통해 방출되는 실리콘이 노광기의 광학 부분을 오염시키기 때문이다.
토모노부 노구치 (Tomonobu Noguchi) 다우코닝 전자 및 첨단 산업 마케팅 담당 이사는 “TOK와의 공동 개발을 통해 실리콘 폴리머를 감광성 소재에 적용시켜 가스배출 문제를 해결함으로써 기존에 불가능했던 포토레지스트에서의 실리콘 사용이 가능해졌다”고 말하면서 “향후 수 년에 도래할 것으로 보이는 차세대 리소그래피 기술의 상용화 시대에 발맞춰 다우코닝과 TOK는 포토 리소그래피를 65나노 이상까지 구현시키기 위해 서로 적극 협력하고 있다”고 덧붙였다.
이번에 공동 개발된 포토레지스트는 리소그래피 뿐 아니라 45나노 노드 이상의 시장까지 확보할 수 있는 첨단 이미징 기술인 이멀젼 리소그래피 뿐 아니라 기존의 리소그래피까지 사용될 수 있는 것으로 확인됐다. TOK는 이멀젼 리소그래피 조건에서도 포토레지스트를 사용할 수 있는 35나노 라인/공간 패턴을 성공적으로 개발했다.
다우코닝과 TOK는 2002년 합작 개발에 합의한 이후 실리콘 기반의 첨단 포토리소그래피 소재 개발에 힘써왔다. 이번 협력은 포토리소그래피의 복잡한 미세공정 기술 및 응용 기술력을 보유한 TOK와 실리콘 소재 기반의 혁신적인 제조 기술력을 갖춘 다우코닝의 장점을 충분히 활용함으로써 성공적인 성과를 얻을 수 있었다. TOK는 현재 일본 카나가와에 위치한 R&D 센터에서 리소그래피를 개발 중이다.
웹사이트: http://www.dowcorning.com
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2011년 9월 30일 09:07
