프리스케일, 4종의 범용 RF 증폭기 신제품 발표
차세대 InGaP(indium gallium phosphide) 디바이스로 프리스케일 제품 중, 최초로 액티브 바이어싱(active biasing) 기술을 채택한 제품으로 액티브 바이어싱 기술의 채택은 온도와 공급 전압의 변동으로 초래되는 성능 변화를 줄여줄 뿐 아니라 시스템 설계자들에게 최고의 사용 편의성을 제공한다.
프리스케일은 지난 2004년 높은 수준의 성능과 신뢰성 그리고 능동적인 공급 역량과 탁월한 성능을 제공하도록 설계된 GaAs(갈륨 비소) 디바이스 제품군으로 범용 증폭기(GPA) 시장에 진출하였다. 현재 프리스케일의 범용 증폭기 제품군은 총 17종의 개별 디바이스로 뛰어난 견실성과 높은 선형성을 제공하는 HFET(heterojunction field effect transistor)가 포함된 형태로 범용 시장에 활발히 공급되고 있다.
"프리스케일은 이번 추가된 최신 개발 된 4 종의 디바이스를 통해 자사의 범용 증폭기 제품군을 강화하였으며, 설계자들에게는 더욱 더 다양한 시스템으로 보다 적극적으로 시장 요구에 대응 할 수 있게 됩니다. 또한 이 제품을 사용하는 고객들은 언제 어디서나 프리스케일의 기술 지원과 신속한 제품 공급의 지속적인 혜택을 누리게 될 것입니다.” 라고 프리스케일 RF 사업부의 총책임자인 게빈 우즈(Gavin Woods) 상무가 말했다.
4종의 신제품 디바이스는 다음과 같다.
MMH3111N:
GaAs HFET
250 MHz ~ 3 GHz
출력 전압 21.5 dBm P1dB, 게인 11.5 dB(2140 MHz에서)
MMG3014N:
InGaP HBT
DC ~ 4 GHz
출력 전압 24 dBm P1dB, 게인 20 dB(900 MHz에서)
MMG3015N:
InGaP HBT
DC ~ 6 GHz
출력 전압 21 dBm P1dB, 게인 15.5 dB(dBm)(900 MHz에서)
MMG3016N:
InGaP HFET
DC ~ 4 GHz
출력 전압 24 P1dB(dBm), 게인 15 dB(900 MHz에서)
이 디바이스의 3차 출력 교차점(IP3)은 37 dBm ~ 41 dBm 범위이므로 낮은 상호변조(intermodulation) 왜곡과 넓은 다이나믹 레인지를 요구하는 분야에 최고의 성능을 제공한다. 4종 제품 모두 RoHS 규격을 준수하고 있으며, 패키지 최고 온도 260°C에서 1단계의 수분 민감도(MSL)를 제공하는 비용 효율적인 플라스틱 SOT-89 패키지가 사용되었다.
신제품 모두 본질적으로 열 저항과 접합부 온도가 낮아 높은 신뢰성과 오랜 작동 수명을 제공하며, 또한 단일 5V 바이어스 전원으로 직접 구동이 가능하여 외부 저항기의 추가 지원이 필요 없다.
공급 상황
MMG3014N과 MMG3016N의 샘플은 2007년 3월부터 공급될 예정이며 양산은 2007년 5월로 예정되어 있다. MMH3111N의 샘플은 2007년 2월부터 공급될 예정이며, 양산은 2007년 6월로 예정되어 있다. MMG3015N은 2007년 2월부터 양산 예정이다.
웹사이트: http://www.freescale.com
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2012년 3월 16일 10:27
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