페어차일드 반도체, 고효율 N-채널 MOSFET 시리즈 출시

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2007-08-21 09:59

부천--(뉴스와이어)--페어차일드 반도체는 최대 8kV ESD (HBM) 전압 보호를 제공하는 고효율 N-채널 MOSFET의 새로운 시리즈를 출시했다. 이 제품의 시리즈는 시장에서 선보이는 기존 디바이스 대비 최대 90% 향상된 성능을 제공한다. FDS881XNZ 시리즈는 노트북 및 휴대 전화처럼 배터리 팩 보호 애플리케이션에 적합한 가장 최신 아키텍처를 지원한다. 페어차일드의 파워 트렌치 (Power Trench) 공정을 이용한, 낮은 RDS(ON) MOSFET (5mOhms 미만의 RDS(ON) FDS8812NZ)) 제품들은 전도 손실을 감소시키고 귀중한 배터리 수명을 연장시킨다. 이 제품들은 강력한 애벌런치 및 하이 피크 전류 성능을 지원해 배터리 팩에 손상을 줄 수 있는 예기치 못한 전압 스파이크를 견뎌냄으로써 시스템 안전을 보장한다.

FDS881XNZ 시리즈는 배터리의 전력 관리 및 부하 스위칭 요구조건에 따라 선택할 수 있는 다양한 옵션을 설계 엔지니어에게 제공한다. FDS8812NZ (RDS(ON) = 4 mOhm)는 고기능 노트북을 겨냥하며, 설계 엔지니어들이 노트북 컴퓨터에 높은 수준의 기능을 통합할 때 직면할 수 있는 열 관련 문제를 해결한다. FDS8813NZ (RDS(ON) = 4.5mOhm)는 15” 이상의 디스플레이의 특징을 갖춘 올-인-원 노트북에 매우 적합한 반면, FDS8817NZ (RDS(ON) = 7mOhm)는 저가형에서 중간층 모델뿐 만 아니라 서브-노트북 PC에서도 일반적으로 사용하는데 이상적이다.

FDS881XNZ 시리즈의 주요 장점은 다음과 같다:

 낮은 RDS(ON) 솔루션은 더욱 높은 동작 효율성을 제공하며 따라서 배터리의 수명을 연장시킨다.

 통합형 ESD 보호 다이오드 (HBM)는 8kV ESD 보호를 제공한다.

 강력한 애벌런치 및 하이 피크 전류 성능은 예기치 못한 전압 스파이크를 견뎌내며 출력 단에서 예기치 못한 전압을 피한다.

업계 표준형 SO8패키지로 제공되는FDS881XNZ 시리즈의 N-채널 MOSFET은 페어차일드의 포괄적인 배터리 MOSFET 포트폴리오에 추가되었다. 페어차일드가 제공하는N- 및 P-채널 MOSFET의 포괄적인 라인에 대한 상세 정보는 www.fairchildsemi.com/battery_mosfets에서 알 수 있다.

FDS881x 시리즈 제품들은 무연 (Pb-free) 터미널을 사용하며 조인트 IPC/JEDEC 표준 J-STD-020의 무연 리플로우 요구조건을 준수하면서 습도 감도를 위해 특성화되었다. 모든 페어차일드 제품들은 유럽의 특정유해물질 사용제한지침(RoHS)의 요구조건을 준수하도록 설계되었다.

페어차일드코리아 개요
페어차일드코리아반도체는 국내 최대의 전력용 반도체 메이커로 미국 페어차일드의 한국 법인이다.

웹사이트: http://www.fairchildsemi.com