하이닉스반도체, 美 오보닉스社와 차세대 메모리 ‘P램’ 기술 라이선스 계약 체결
이번 P램 기술 라이선스 계약에 따라 하이닉스반도체와 오보닉스社는 P램 기술 개발을 비롯하여 재료, 공정, 디자인 및 생산 등의 분야에 적극 협력하게 된다. 하이닉스반도체 박성욱 부사장은 “메모리 시장의 새로운 패러다임을 가져올 P램 사업에 본격 진출했다는 데에 의의가 크다” 면서 “P램의 성공적인 기술 개발 및 양산을 위해 지속적으로 노력하겠다”고 밝혔다.
P램은 상변화 물질에 전류를 가하면 고체와 액체로 변하는 상변화에 따른 저항의 차이를 이용하는 비휘발성 메모리이다. 보통 D램의 기억 소자는 트랜지스터와 캐패시터로 구성되는데 비해 P램은 캐패시터 대신 트랜지스터와 레지스터로 구성되어 있어 소자 크기는 물론 생산 비용까지 줄일 수 있을 것으로 기대되는 기술이다. D램과 같은 낮은 전압에서 동작이 가능하며, 플래시 메모리보다 10배 이상 빠른 처리 속도로 구현이 가능하여 D램과 플래시 메모리의 장점을 갖춘 것이 특징이다. ‘퍼펙트(Perfect) 램’ 이라 불릴 만큼 우수한 성능을 갖춘 P램은 향후 D램과 플래시 메모리를 대체할 수 있는 차세대 메모리의 선두주자로 기대를 모으고 있다.
한편 하이닉스반도체는 지난 7월에 발표한 중장기 마스터 플랜에 의하면, 2017년까지 매출의 30% 이상을 P램을 포함한 신규 제품 군으로 채울 계획이다. 이에 따라 P램과 같은 차세대 메모리 개발에 역량을 집중하고 있으며, 특히 이번 라이선스 계약 체결을 통해 목표에 한 발 더 다가설 것으로 기대하고 있다. 앞으로도 차세대 메모리 개발을 위한 제휴 및 협력을 지속적으로 확대하여 다양한 제품 군을 개발하는 등, D램과 낸드플래시를 통해 보여준 기술 경쟁력을 차세대 메모리 분야에서도 발휘하여 빠르게 발전하는 다양한 애플리케이션에 적극 대응할 계획이다.
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