하이닉스반도체, 차세대 비휘발성 메모리 공동개발 적극 참여
24일(목) 한양대학교 HIT에서 차세대 비휘발성 메모리 개발과 관련한 산학연 협약을 맺고 있다.
(좌로부터) 삼성전자 이원성 부사장, 산업자원부 김용근 차관보, 한양대 박재근 교수, 하이닉스반도체 박성욱 부사장
24일(목) 한양대학교 HIT에서 차세대 비휘발성 메모리 개발과 관련한 산학연 협약을 맺고 있다.
(좌로부터) 삼성전자 이원성 부사장, 산업자원부 김용근 차관보, 한양대 박재근 교수, 하이닉스반도체 박성욱 부사장
이날 협정식에 참석한 하이닉스 박성욱 부사장은 “하이닉스는 그 동안 다양한 협력관계를 통해 핵심 경쟁력 강화를 시도해왔다. 차세대 메모리 개발을 위해 삼성전자 등과 협력하는 이번 프로젝트는 한국 반도체 업계의 새로운 가능성을 열어주었다고 생각한다”고 말했다.
이 날 행사에는 하이닉스반도체 박성욱 부사장, 삼성전자 이원성 부사장, 산업자원부 김용근 차관보, 한양대학교 여홍구 부총장 등이 참석했으며, 동 사업단의 1단계 개발결과인 차세대 메모리 원천기술 특허의 권리이전 협약식도 함께 거행되었다.
지난 2004년부터 산업자원부 주도로 시작된 “차세대 테라비트급 비휘발성 메모리사업”은 국내 산·학·연의 전문가들이 참여하여 차세대 테라비트급(1012bit) 비휘발성 메모리 원천기술개발을 진행하고 있으며, 산자부는 7년간 약 525억을 투자한다.
웹사이트: http://www.skhynix.com
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