서울대 황철성 교수, 네이처 아시아에 소개

2008-05-16 15:54
서울--(뉴스와이어)--서울대학교 황철성 교수 연구팀은 D램 캐패시터에 사용되는 유전체 박막을 기존의 지르코늄산화막 계열 대신 티타늄산화물 박막을 사용하고 특별한 도핑 기술을 이용, 알루미늄을 삽입함으로써 전하 저장 능력을 크게 향상시켰다. 이 연구결과는 ‘Advanced Materials’에 실려 지난 달 4월 출판되었으며, 이 기술이 반도체생산 공정에 적용될 경우 다른 새로운 공정기술의 도입 없이도 반도체 공정을 3세대 이상 확장시킬 수 있게 됐다.

황 교수는 "이 기술을 적용하면 메모리 소자 핵심 기술인 전하 저장 매체의 저장 능력을 획기적으로 개선하여 메모리 반도체 소자의 집적도를 크게 증가시킬 수 있고, 나아가 최근 각광을 받는 메모리와 로직이 단일칩에 형성되는 시스템온칩(SoC) 공정기술의 경쟁력 강화에도 기여할 수 있다"고 말했다.

황 교수의 이러한 연구성과는 지식경제부의 국가연구개발사업(시스템IC2010사업)의 결과물이며, ‘Nature’에서 아시아지역 우수 연구 성과를 모아 발간하는 저널인 ‘Nature asia materials’ 에 이번 5월 13일자로 소개되어 세계적으로 주목받는 계기가 되었다. 황 교수의 연구성과를 소개한 ‘Nature’ 영국 본사의 TIm Reid 박사는 “PC 뿐만 아니라 게임기, 휴대폰의 다기능화에 따라 초고집적 D램에 대한 요구가 급속히 증가하고 있어 메모리 소자의 용량을 획기적으로 개선한 황 교수의 연구결과를 매우 흥미롭게 생각한다”고 말했다.

황 교수는 이미 2003년에 초고집적 메모리 등 반도체 소자 관련 연구업적을 높이 평가받아 우리나라 과학기술을 이끄는 40살 아래 젊은 과학자에게 수여하는 ‘젋은 과학자상’을 수상하여 국내외에서 그 실력을 인정받고 있는 주목받는 과학자이다.

서울대학교 공과대학 개요
서울대학교 공과대학은 글로벌 산업과 사회의 지도자 육성을 목표로 나아가고 있다.

웹사이트: https://eng.snu.ac.kr/

연락처

서울대학교 공과대학 대외협력실 02-880-9148