차세대 반도체 ‘국제표준’ 우리가 만든다...삼성전자-하이닉스 ‘3대 기술협력’ 전격 합의
삼성전자와 하이닉스는 그간 선의의 경쟁으로 이룬 세계 1위 메모리반도체 강국의 위상을 더욱 강화하기 위해서는 차세대 반도체 시장에 대한 국내 업계의 공동 대응이 필수적이라는 데 공감하고,‘新 메모리 공동 R&D’, ‘반도체산업 표준화’, ‘장비·재료 국산화 확대’를 핵심으로 하는「반도체 3대 기술협력」을 적극 추진하기로 합의하였다.
특히 우리 반도체 업계는 최근 반도체산업 실적부진 장기화와 치열한 국제경쟁에 대한 근본적 대안을 마련하기 위해, 대기업-대기업간 공동 R&D로 기술 경쟁력을 높이고, 아울러 대기업-중소기업간 기술지원으로 장비·소재 국산화를 확대하는「포괄적 기술협력」전략을 추진한다.
【 大-大-中小 기술협력 】 ☞ 차세대 반도체 국제 표준 선점
아울러 지식경제부와 반도체 업계는 차세대 반도체 제품, 장비·재료 시장 선점 및 국내 생산라인 효율성 증대를 위한 업계 공동의 ‘표준화 전략’을 사상 최초로 추진한다.
특히 2012년 450mm 웨이퍼로의 규격 전환에 대비하여, 우리 업계는 450mm 국제 표준 선점을 통해 대규모의 신규 장비·재료 시장 주도권을 확보할 계획이다.
* 국내 장비재료 산업 78억불(07년) → 150억불(12년, 세계 15%) 성장 전망
지경부는 8월 중 産學官 공동의 ‘표준화 협의체’를 구성하고, 장비·재료·제품의 3개 분야별 워킹그룹을 중심으로 국내 및 국제* 표준 활동을 병행할 계획이다.
* JEDEC(제품, 미국), SEMATECH(장비, 미국), SEMI(재료, 미국) 등과 협력 강화
신규 450mm 장비·재료는 국제 표준기구에서의 우리 업계 주도권 확보 및 국내 장비·재료 개발 로드맵을 수립하고, 기존 300mm 장비·재료는 생산 효율성 증대를 위한 ‘300mm Prime’ 전략을 추진하고, 차세대 반도체 제품 분야는 원천기술 개발 → 지적재산권 → 성능평가 → 표준화가 유기적으로 연계될 수 있도록 ‘R&D + 표준화’ 통합 전략을 전개한다.
【 大-大 기술협력 】 ☞ 업계 공동 R&D 개시
우선 삼성전자·하이닉스는 메모리 세계 1위에도 불구하고 핵심 원천기술은 여전히 해외에 의존하는 문제점을 극복하기 위해, 테라비트급 차세대 반도체 원천기술 개발을 위한 공동 R&D를 금년 9월부터 본격 개시한다.
* 우리 업계는 샌디스크(미), 램버스(미), 도시바(일) 등에 매년 수억불의 특허료 지불
특히 양사는 2012년 시장이 형성될 것으로 예상되는 ‘STT-MRAM’을 중점 개발할 계획으로, 향후 원천기술 선점시 年 5억불 이상의 로열티 효과가 발생하게 된다.
* STT-MRAM은 차세대 메모리 가운데 가장 성능이 뛰어난 유력 대안
우리 업계가 과거 공동 R&D를 통해 2000년대 메모리 1위로 도약한 것처럼 금번 공동R&D 역시 2010년대 차세대 메모리 1위로 나아가는 중요한 계기가 될 전망이다.
* G7사업(95~01, 삼성·현대·LG 공동)에서 세계 최초로 64M D램 개발
아울러 차세대 반도체 공동 R&D를 통한 지적재산권 공동 선점은 향후 경쟁국(일본, 대만, 중국 등) 특허견제, 국제 특허분쟁 공동대응 등이 가능한 한국형 ‘IP 컨소시엄’으로 발전할 것으로 기대된다.
* 일본 PDP 업계(히다찌+마쓰시다+후지쯔)는 공동 특허풀(HPPL) 운영
【 大-中小 기술협력 】☞ 장비·재료 성능평가 기술지원 확대
반도체 대기업 3사(삼성, 하이닉스, 동부)는 지난 해부터 추진해 온 국내 ‘장비·재료 성능평가’ 지원사업을 금년 하반기부터 質的으로 확대 추진한다.
* 장비재료 성능평가 : 국내 중소업체 장비·재료를 대기업 양산라인에 투입, 생산수율·신뢰성 등을 비교·평가·인증
대기업 3사는 7월부터 개시하는 33개 국산 장비·재료에 대한 성능 평가 → 공동 인증 → 구매 검토 과정에서 맞춤형 기술지도를 강화함으로써, 자생력 있는 ‘輸出形 중소기업’으로의 성장을 지원할 계획이다.
* 그간 07년 ~ 08.6월간 총 40개 장비재료에 대한 평가가 완료됨
또한 금년부터 삼성전자·하이닉스는 반도체 장비·재료의 실질적인 국산화율 향상을 위한 자체 ‘국산화 전략’을 병행 추진함으로써, 내년까지 총 6,463억원 규모의 국산 장비·재료를 추가 구매(07~09년)할 것으로 기대된다.
한편 우리 반도체 업계는 반도체협회와 IT-SoC협회를 통합함으로써 우리 시스템반도체 산업 지원체계를 정비하고, 전체 반도체시장의 80%에 달하는 시스템반도체산업 발전방안을 반도체 업계 공동으로 모색하기로 합의하였다.
지식경제부는 2015년 시스템반도체 시장점유율 10% 달성을 목표로 시스템반도체 발전을 위한 4대 전략, 13개 추진과제를 업계 공동으로 설정하고, 연구 개발부터 해외 마케팅까지 전주기적 지원을 시행할 계획이다.
【 시스템반도체산업 발전전략 주요 내용 】
이러한 내용을 골자로 6.25일 ‘반도체 통합협회 출범식 및 발전전략 보고회’에서 삼성전자 권오현사장, 하이닉스 김종갑사장, 동부하이텍 오영환 사장, 코아로직 황기수 사장 등 업계대표는 이윤호 지식경제부 장관과 함께「반도체산업 기술협력 협약」및「반도체협회 통합 MOU」를 체결하였다.
이 장관은 ‘해외 경쟁업계의 도전에 직면한 우리 반도체 업계가 기술협력이라는 고부가가치 전략을 선택한 것을 환영한다’는 평가와 함께, ‘기술협력의 열쇠를 쥐고 있는 대기업의 리더십이 필수적’이라고 당부했다.
한편, 이날 행사에 앞서 반도체 업계는 한국반도체산업협회 임시총회를 개최하여 신임 회장으로 삼성전자 권오현 사장을 선출하고, IT-SoC협회 통합을 의결하였다.
반도체산업협회는 기존 IT-SoC협회 통합으로 144개 반도체 설계업체가 회원사로 추가되면서 명실상부한 ‘반도체산업 통합협회’로 탈바꿈하게 되었다.
또한 협회 통합에 따라 ‘팹리스(Fabless) 운영위원회’를 신설함으로써 향후 반도체산업협회가 시스템반도체 산업 지원의 플랫폼이 될 것으로 기대된다.
* Fabless : 생산시설(Fab)이 없는 반도체 업종으로 보통 ‘설계산업’을 의미
웹사이트: http://www.mke.go.kr
연락처
반도체디스플레이과 차동형 과장, 문상민 사무관(2110-5683)
