하이닉스, 뉴모닉스와 차세대 낸드플래시 협력 확대 계약 체결
하이닉스반도체 김종갑 사장(앞줄 오른쪽)과 뉴모닉스 Brian Harrison 사장(앞줄 왼쪽)이 협력 계약 체결을 위해 서명하고 있다.
하이닉스는 이번 협력을 통해 뉴모닉스의 비휘발성 메모리 기술을 바탕으로 낸드플래시 공정 세대 전환시의 기술적 한계를 극복할 수 있게 됐다. 또한 인텔로부터 뉴모닉스로 흡수된 우수인력을 활용해 소프트웨어 및 마이크로 컨트롤러 솔루션 노하우를 공유할 수 있게 됐으며, 이에 따라 기존의 낸드플래시 칩을 단순 실리콘에서 MicroSD, eMMC 및 SSD 와 같은 복합 시스템으로 향상시켜 복합 솔루션 시장으로의 효과적인 진입 및 점유율 확대가 가능해졌다. 특히 기존 낸드플래시의 Floating Gate 구조를 대체할 것으로 예상되는 CTD (Charge Trap Device) 개발에 있어 뉴모닉스가 보유한 노어플래시 기술을 활용할 수 있게 돼 기술 경쟁력 확보에 도움이 될 것으로 기대된다.
하이닉스의 김종갑 사장은 “이번 협력을 통해 향후 중요한 분야가 될 것으로 전망되는 소프트웨어 및 컨트롤러 등 솔루션 제품의 경쟁력을 높여 성공적으로 관련 시장에 진입할 수 있을 것으로 기대한다”면서 “최고 수준의 기술을 바탕으로 낸드플래시 신기술을 지속적으로 확보하고 다양한 제품을 출시하여 향후 낸드플래시 시장을 선도할 것”이라고 확신했다.
뉴모닉스의 브라이언 해리슨 사장은 “이번 협력을 통해 향후 5년간 낸드플래시 시장을 선도할 수 있는 능력을 확보했다”며 “양사의 기술력과 하이닉스의 탁월한 비용 절감 능력을 통해 효율적 생산 능력 및 시장을 선도하고 있는 메모리 제품의 노하우를 갖출 수 있게 돼 경쟁사보다 한 발 앞서 제품을 출시할 수 있을 것”이라며 기대감을 피력했다.
한편 이번 협력과는 별도로 하이닉스는 모바일 D램을 최대 수요처 중 하나인 뉴모닉스에 대량 공급하게 돼 연내 모바일 D램 시장 점유율을 상당한 수준으로 확대할 수 있게 됐다. 하이닉스는 지난 4월 66나노 기술을 적용한 세계 최고속 1기가비트 모바일 LPDDR2 (Low Power DDR2) 제품을 개발했으며, 최근에는 저전력 모바일 D램을 비휘발성 메모리와 결합한 저전력 멀티칩 패키지 (MCP: Multi-Chip Package) 제품을 생산하는 등 업계 최고 수준의 성능을 갖춘 모바일 D램 제품 군을 다수 보유하고 있다.
■ 뉴모닉스(Numonyx)
스위스에 본사를 두고 있는 플래시 메모리 전문 회사로 인텔 (Intel Corporation)의 노어플래시 사업부와 ST마이크로 (STMicroelectronics)의 메모리 사업부가 통합돼 올해 3월 출범했다. 통합 NOR, NAND, 상변화 비휘발성 메모리 기술 및 제품 일체를 설계 및 제조해 고밀도 저전력 메모리 기술 및 패키징 솔루션을 제공하고 있다.
■ Floating Gate
낸드플래시에서 데이터(전하, Charge)를 저장하는 도체 물질로 Control Gate 와 Substrate 사이에 위치한다.
■ CTD (Charge Trap Device)
CTD는 전하를 기존의 도체가 아닌 부도체 물질에 저장하는 것으로 셀간 간섭 문제를 해결한 차세대 낸드플래시 데이터 저장방식이다. 반도체 회로 선폭 감소에 따라 기존 Floating Gate 낸드플래시로는 간섭 효과로 인한 기술적 한계에 도달할 것이나, CTD를 활용해 이를 극복할 수 있다.
* CTD 낸드플래시에서는 Floating Gate가 Charge Trap Device로 대체됨
웹사이트: http://www.skhynix.com
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