하이닉스반도체, 200mm 생산공장 구조조정 가속화
하이닉스는 이천 M7, 청주 M8 및 M9, 미국 유진 E1, 중국 우시 HC1 등 총 5개의 200mm 생산공장을 보유하고 있었으며, 이 중 중국의 HC1, 미국 유진의 E1, 청주 M9 공장을 가동중단하기로 결정한 데 이어, 추가적으로 D램을 주력으로 생산하던 이천 M7 공장도 즉시 웨이퍼 투입을 중단하여 이달 말 조업을 종료할 예정이다.
또한 마지막 남은 청주의 M8공장에서도 월13만장의 웨이퍼 생산을 유지하려던 당초 계획을 바꿔 절대 공급이 필요한 제품만 생산하기로 함으로써 하이닉스의 200mm 웨이퍼 생산 비율은 지난해 말 월 50% 수준에서 내년 초에는 10% 이내로 줄어들게 됐다.
이로써 하이닉스는 주력제품인 D램과 낸드플래시 메모리 생산의 대부분을 원가구조가 뛰어난 300mm 공정으로 전환함으로써 전체적인 수익성, 현금흐름 등을 개선할 수 있을 것으로 기대하고 있으며, 향후 300mm공정 제품의 지속적인 생산성 향상을 통해 업계 최고의 원가 경쟁력을 유지하고 타 경쟁업체와의 차별성을 부각시킨다는 계획이다.
한편, 이와 같은 200mm 생산공장의 조기 종산으로 인해 하이닉스의 전체 웨이퍼 생산능력은 2분기 대비 내년 초에는 약 30%가 감소되며 D램의 경우 20% 이상, 낸드플래시의 경우 40% 이상 줄어들게 되어 메모리 업계 전체 적으로도 상당 수준의 공급 능력 감소 효과가 예상된다.
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