프리스케일, 첨단 RF 전력 처리 기술로 휴대전화 기지국 송신기의 비용 및 소비전력 절감

뉴스 제공

2009-02-20 10:00

서울--(뉴스와이어)--프리스케일 반도체(코리아 대표이사 최충원, www.freescale.co.kr)는 휴대전화 기지국 송신기의 소비전력 감소 요구에 대응하여 차세대 LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) RF 전력 트랜지스터를 발표했다.

프리스케일의 8세대 고전압(HV8) RF 전력 LDMOS 기술은 RF 전력 트랜지스터 기술을 주도해 온 프리스케일의 전통을 이어 받아 W-CDMA와 WiMAX 등 고속 데이터 전송 분야 및 LTE나 다중 반송파(Multicarrier) GSM 등 새로운 표준의 엄격한 요구를 충족하도록 특별히 설계되었다. HV8 기술에 기초한 디바이스 제품군은 DPD(Digital Pre-Distortion)와 결합하여 사용하는 도허티(Doherty)를 포함한 첨단 전력 증폭기 아키텍처에서 작동하도록 최적화되었다.

프리스케일 HV8 기술의 가장 큰 장점은 운용 효율을 높여 기지국 시스템의 전체 소비전력을 줄인 것이며, 이로써 유지비를 절감할 수 있게 한다. 또한 HV8은 운용 환경이 더 까다로운 첨단 시스템 아키텍처에 최적이다.

프리스케일 RF 사업부의 총책임자 개빈 P. 우즈(Gavin P. Woods) 상무는 "프리스케일은 LDMOS의 성능을 대폭 개선하여 월등한 전력 증폭기 기술의 전통을 이어가고 있다. 프리스케일 HV8 제품군을 첨단 아키텍처 또는 구형 시스템과 함께 사용할 경우, 차세대 송신기 설계시 고효율의 시스템 성능을 기대할 수 있다"고 말했다.

초기 제품은100W~300W 범위의 출력 전력 레벨을 제공한다. 또한 HV8 제품은 프리스케일의 저비용 플라스틱(over molded) 패키지 기술을 활용하고 이를 더욱 확장하여 탁월한 가치를 제공하며 700MHz에서 2.7GHz의 주요 주파수 대역을 소화할 수 있다.

HV8 RF 전력 LDMOS 기술이 첫번째로 적용되어 운용효율의 개선이 기대되는 900MHz 주파수 대역 트랜지스터는 다중 반송파 GSM 시스템의 엄격한 요구에 효과적으로 대응할 것으로 예상된다. 도허티(Doherty) 기준 디자인은 MC-GSM 시장을 겨냥하여 최적화되었기 때문에 가장 혹독한 신호 구성에서도 탁월한 효율과 DPD 보정 성능을 보여준다.

HV8 성능의 한 예로, 다중 반송파 GSM 분야용으로 설계된 MRF8S9260H/HS 트랜지스터 2개를 사용하는 대칭형 도허티(Doherty) 기준 디자인은 첨두 전력(peak power) 58.0dBm(630W)과 이득 16.3dB를 제공하며 우수한 광대역 선형성 상태의 49.4dBm(87W)의 평균 출력 전력 레벨에서 드레인 효율(drain efficiency) 42.5%를 제공한다. DPD 연동 시험결과 이 기준 디자인은 최고 20MHz의 신호 대역폭에서 GSM 반송파 6개를 사용할 때에도 탁월한 보정 성능을 나타냈다

MRF8S9260H, MRF8S9170N, MRF8S9200N, MRF8P9300H 트랜지스터에서도 유사한 성능 결과를 얻었다.

프리스케일의 HV8 LDMOS 플랫폼은 전력 증폭기 제조업체의 비용, 성능, 신뢰성 요구에 효과적으로 대응함으로써 RF 통신 시스템 선두주자인 프리스케일의 명성을 다시 한 번 입증했다.

웹사이트: http://www.freescale.com