페어차일드 반도체, 업계최저 RDS(ON) 20V MicroFET™ MOSFET 발표
FDMA6023PZT는 탁월한 열 저항 특성을 가진 초박형 리드프레임 노출 MicroFET 패키지로 제작되어 최상의 전력소모 특성을 제공하면서 기존 MOSFET에 비해 도전 손실이 낮다.
이 디바이스는 페어차일드의 첨단 파워트렌치(PowerTrench®) MOSFET 공정 기술로 설계되었다. 이 기술은 RDS(ON), 전체 게이트 전하(QG), 밀러 전하 (QGD) 등에 대해 매우 낮은 값을 제공하여 결과적으로 탁월한 도전 및 스위칭 성능을 강화시킨다.
FDMA6023PZT는 기능이 풍부한 최신 휴대형 애플리케이션에서 전력 설계의 기술적 과제들을 해결하는 데 중추적인 역할을 하고 있는 MicroFET MOSFET의 포괄적인 포트폴리오의 일부이다.
이 포트폴리오는 FDMA1027PT, 20V P-채널 PowerTrench MOSFET, FDFMA2P853T, 쇼트키 다이오드 내장 20V P-채널 PowerTrench MOSFET 등을 포함하고 있다. 이들 제품들은 저전압 설계에 일반적으로 사용되는3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET보다 크기는 55% 작고 높이는 50% 낮다.
가격(개당, 1,000개 공급 기준): 0.48달러
공급시기: 현재 샘플 공급 중
납기: 주문 접수 후 8-10주
연락처:
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페어차일드코리아 개요
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