하이닉스, 중국 무석시에 후공정 합작사 설립
중국 남경에서 열린 후공정 합작사 설립을 위한 계약 체결식에서 김종갑 하이닉스 사장(앞줄 왼쪽)이 지커지엔(嵇克俭) 무석시신구관리위원회 주임(가운데), 장궈슝(蒋国雄) 무석산업발전집단유한공사 주석과 악수를 나누고 있다
하이닉스는 지난 2005년 중국 생산법인을 설립한 것에 이어 이번 후공정 합작사 설립을 통해 중국 내 전/후공정 일괄 생산 체제를 구축함으로써 생산 및 물류비 절감 등 원가 경쟁력이 보다 강화될 것으로 예상된다. 또한, 메모리 수요가 연평균 17%로 급성장하는 중국 시장에서 40% 이상의 독보적 시장 점유율을 유지하고 있는 하이닉스의 위상도 보다 강화될 것으로 보인다.
하이닉스는 합작사에 향후 5년간 후공정 물량을 보장하는 한편, 합작사의 경쟁력을 강화하기 위해 장비운용과 교육을 위한 인력을 파견해 후공정 전문업체로 적극 육성할 예정이다. 이로써 하이닉스는 향후 후공정 투자자원을 TSV, MCP, PoP 등과 같은 고부가가치 제품에 집중 투자해 효율적인 활용이 가능할 것으로 기대된다. 또한 향후 5년간 합작사의 영업현금을 하이닉스의 물량을 위해 재투자함으로써 향후에도 지속적으로 투자비를 절감할 수 있고, 이를 통해 안정적인 장기 외주처도 확보할 수 있게 된다.
한편 하이닉스는 후공정 일부 자산이 실제로 이전되는 올해 말 이후 발생하는 6백여 명의 일시적 유휴 인력을 인위적인 감원 없이 중국 합작사 파견 및 단계별 교육훈련 후 전환 배치할 예정이다. 또한 향후 업황 회복시 생산량 증가에 따른 국내 후공정 부문에 대한 추가 투자가 이뤄질 것으로 보여 중장기적으로는 고용이 증가할 것으로 예상하고 있다.
- TSV(Through Silicon Via) : TSV는 기존의 와이어 본딩을 대체해 실리콘 웨이퍼에 구멍을 뚫어 전극을 형성하는 패키지 방식이다. 40나노 미만 미세공정에서 와이어 본딩으로 해결할 수 없는 고속 입출력 신호처리와 신호채널수 확장 등을 해결하는 대안으로 꼽힌다. 삼성전자·하이닉스·인텔·도시바 등이 지난 2006년부터 본격적으로 개발에 들어갔으며 일부 공정에서 이미 적용이 시작됐다. TSV를 적용하면 고주파 신호 손실을 막을 뿐 아니라 전력소비를 70% 이상 줄일 수 있고 신호지연현상도 60% 이상 감소하는 효과가 있다.
- MCP(Multi Chip Package) : 다른 종류의 칩을 두 개 이상 쌓아서 제작하는 패키지.
- PoP(Package on Package) : 패키지 위에 패키지를 얹는 기술. SoC(System On Chip)이 하나의 칩 위에 여러 가지 회로를 층층이 쌓아올리는 것이라면 SiP(System In Package)는 별개의 칩으로 되어 있는 복수 칩을 하나의 패키지로 실장하는 기술이다. PoP는 SiP기술과 비교했을 때 유연성 및 확장성이 뛰어나지만 통합에 한계가 있다.
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