프리스케일 반도체, GSM EDGE 무선 네트워크용 RF 전력 트랜지스터 제품군 확대

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2009-06-16 09:51

서울--(뉴스와이어)--프리스케일 반도체는 GSM EDGE 무선 네트워크용 솔루션 확대를 위해, LDMOS(laterally-diffused metal oxide semiconductor) 기술 기반의 고성능 RF 전력 트랜지스터 3종을 발표했다. 이번에 발표된 디바이스는 탁월한 성능을 제공하는 동시에 증폭기에 손쉽게 통합할 수 있는 기능이 특징이다.

프리스케일 RF 사업부의 총책임자인 게빈 우즈(Gavin Woods) 상무는 “3세대 및 4세대 무선 서비스의 공급이 꾸준히 늘어남에 따라 가장 폭넓게 쓰이는 무선 기술로 GSM이 독보적인 위치를 유지하고 있다. 프리스케일의 신제품 RF 전력 트랜지스터는 전세계의 GSM 통신 사업자들이 기지국 트랜시버의 효율 향상을 통해 가입자당 평균 매출을 높일 수 있도록 설계되었다”라고 말했다.

MRFE6S9046N (920 ~ 960MHz)

MRFE6S9046N은 920 ~ 960MHz GSM EDGE 애플리케이션에서 작동하며, 17.8W의 평균 RF 출력과 19dB의 게인(gain), 최대 42.5%의 효율과 최고 2.1% RMS의 EVM을 제공한다. 이 제품은 정밀한 기계적 공차(tolerances)와 비용 효율성이 결합된 프리스케일의 오버 몰드형 플라스틱 패키지로 제조된다. 이 패키지는 또한 표면 실장 가능하므로 자동 조립(pick-and-place) 방식의 생산 공정과 호환되며, 내부 임피던스 정합이 개선되어 제조사들이 다양한 PCB 모델을 손쉽게 적용할 수 있다. 더불어 클래스 F 증폭기 원리를 사용하는 2차 및 3차 고조파 정합이 포함된 디바이스 내부의 출력 매칭 기능으로 고효율에서 동작 주파수에서 사용하기 편리한 출력 임피던스를 제공한다.

MRF8S9100H/HS(920 ~ 960MHz) 및 MRF8S18120H/HS(1805 ~ 1880MHz)

이 28V 디바이스는 GSM 및 EDGE 시스템에서 클래스 AB 및 클래스 C로 작동하도록 설계된 제품이다. MRF8S9100H/HS는 GSM EDGE 애플리케이션에서 45W의 평균 출력과 19.1dB의 게인(gain), 940MHz에서 44%의 효율과 2.0% RMS의 EVM을 제공한다.

MRF8S1812H/HS는 GSM EDGE 애플리케이션에서 46W의 평균 출력과 18.2dB의 게인(gain), 1840MHz에서 42%의 효율과 1.7% RMS의 EVM을 제공한다. MRF8S9100H/HS와 MRF8S18120H/HS는 견고한 air-cavity 세라믹 패키지로 제조된다. MRF8S9100H/HS는 GSM 800 대역에서도 작동 가능하며, MRF8S18120H/HS는 GSM 1900 주파수 대역을 지원한다. 위 세 디바이스는 모두 회로 설계를 간소화할 수 있도록 내부적으로 정합되어 있고, RoHS 규격을 준수하며 내장 ESD 방지 회로가 포함되어 있다.

가격 및 공급 상황

MRFE6S9046N은 현재 양산 중이며 샘플이 공급되고 있다. MRF8S9100H/HS 및 the MRF8S18120H/HS는 현재 샘플 공급 중이며, 양산은 2009년 7월에 시작될 예정이다. 대신호 모델이 포함된 레퍼런스 테스트 픽스처도 2009년 7월에 공개될 예정이다. 샘플 입수 방법과 가격 정보는 프리스케일 반도체 코리아 또는 프리스케일 공식 대리점에 문의할 수 있다.

7월 7 ~ 12일 보스턴에서 열리는 IMS MTT-S(www.ims2009.org)의 프리스케일 부스는 2018호이다. 전시회에 대한 최신 정보는 트위터(Twitter)의 RFLeonard 블로그에서 확인할 수 있다(www.twitter.com/RFLeonard).

웹사이트: http://www.freescale.com