인피니언, 고전력 LDMOS 트랜지스터 제품군 출시

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인피니언 테크놀로지스 프랑크푸르트증권거래소 IFX

2009-06-17 09:20

서울--(뉴스와이어)--인피니언 테크놀로지스 코리아 (대표이사 마티아스 루드비히)는 광대역 무선 네트워크 기지국 설계를 위한 고전력 LDMOS 트랜지스터 제품군을 발표했다. 최대 300W의 업계 선도적인 전력 수준과 90MHz를 초과하는 비디오 대역폭을 통해 신형 트랜지스터는 3G에서 4G 무선 네트워크로 진화하는 데 필요한 높은 최고전력 대비 평균전력 비율과 높은 데이터 전송속도 사양을 완벽하게 지원한다.

신형 트랜지스터 제품군은 1.4GHz에서 2.6GHz까지의 이동통신 대역에서 동작하는 다른 경쟁 제품들보다 높은 이득과 높은 전력밀도를 달성하였다. 이를 통해 30% 작은 풋프린트의 패키지를 사용하여 증폭기 설계를 소형화하고 비용을 절감할 수 있도록 한다. 높은 최고 전력은 도허티 (Doherty)-기반 증폭기 설계에 매우 유용할 뿐만 아니라 다른 아키텍처에서도 부품 수를 줄여준다.

인피니언 테크놀로지스 RF 전력 사업본부의 부사장겸 사업본부장인 헬무트 보글러 (Helmut Vogler)씨는 “전력 증폭기의 크기를 줄이면서 탁월한 전력효율을 제공한다는 것은 기지국의 크기를 소형화할 수 있다는 것을 말하며, 이는 다시 말해 제조업체들이 효율적이고 환경친화적인 무선 시스템 솔루션을 최적화된 비용으로 제공할 수 있다는 것이다”라면서 “트랜지스터 초기 제품군의 양산공급이 시작되면 기지국 공급업체들은 2010년부터 시작될 4G 기술 출시를 위한 고객 요건을 충족하기 위해 인피니언 제품을 사용하게 될 것이다”라고 말했다.

2170 MHz, 30V, 8 dB PAR, 3.84 MHz 채널 대역폭에서 2-반송파 WCDMA 신호에 대한 신형 트랜지스터의 성능 예는 230W의 P-1dB 출력 전력을 가진 트랜지스터를 사용하는 경우에 50W의 평균 전력, 18 dB 이득, 28% 효율을 나타내었다. 동일한 애플리케이션에서 300W (P-1dB) 디바이스를 측정한 경우에 65W 평균전력, 18 dB 이득, 28% 효율을 나타내었다

모든 신형 PTFB 트랜지스터 제품군은 볼트조절 및 이어리스 마운팅을 위한 공동 (open-cavity) 세라믹 패키지로 제공된다. 또한 무연 (Pb-free) 및 ROHS규정을 준수한다. 현재 초기 6개 제품의 샘플이 제공되고 있다.

인피니언 테크놀로지스 개요
인피니언 테크놀로지스는 전력 시스템 및 IoT 분야 글로벌 반도체 리더다. 인피니언의 제품 및 솔루션은 탈탄소화 및 디지털화를 선도한다. 2023년 회계년도(9월 30일 마감) 기준 전 세계 약 5만8600명의 직원들과 함께 163억유로 매출을 달성하였다. 인피니언은 프랑크푸르트 증권거래소(거래 심벌: IFX)와 미국 장외 시장 OTCQX International Premier (거래 심벌: IFNNY)에 등록돼 있다.

웹사이트: http://www.infineon.com