KEC, 2세대 MOSFET Line up강화…신규사업 본격 성장 기대

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KEC 코스피 092220
2009-08-12 10:09
서울--(뉴스와이어)--국내최대 개별반도체 업체인 KEC(대표:곽정소)는 현재의 Generation보다 향상된 기술을 이용하여 고효율, 고성능 제품의 MOSFET Line up을 확보하게 되었다.

국내 최초로 자체 개발/생산 중인 Low voltage Trench MOSFET은 휴대 이동기기와 LCD Back light Inverter, Battery pack 및 DC-DC에 최적화된 solution을 제공하고 있으며, High voltage Planar MOSFET은 LCD, PDP등의 Display Set와 SMPS, Ballast 등에 최적화된 line up을 확보하여 Energy saving을 실현시키고 있다.

Low voltage Trench MOSFET은 0.3um 공정 적용으로 Cell Density를 300Mcell/inch2 ~ 1G cell/inch2로 향상시켰고, short channel/기생저항 감소 기술을 적용하였으며, KEC 고유의 thick-bottom 구조를 적용하여 Qg/Qgd 특성을 60%이상 개선시켜 Switching 손실을 최소화하였다.

또한 Maximum operation frequency를 증가시키고 SBD/ESD diode를 내장하여 DC-DC의 효율향상과 정전내량 증가를 실현시켰으며, Advanced package 기술이 적용된 new package와 thin wafer 기술을 이용하여 Foot-Print Size와 package 기생저항을 획기적으로 줄이고, 파워 용량을 증가시켜 Set의 소형화에 기여할 수 있게 되었다.

High voltage Planar MOSFET은 신 공정/신 설계 기술이 적용된 구조를 이용하여 Ron 저항을 45% 향상시켰고, Qg 특성을 30% 향상시켜 fast switching이 가능하게 되었으며, 동일 Package에 탑재할 수 있는 maximum current와 전압을 증가시켜 고객이 요구하는 소형, 고전력 Package 제품을 공급할 수 있게 되었다.

또한 Spacer self-align이 적용된 기술을 이용하여 소자의 파괴내량을 증가시켰으며, 산포를 획기적으로 개선시켜 고객 circuit의 안정성을 보장하게 되었으며, ESD Diode의 내장으로 정전용량을 증대시켰고, MOSFET에 내장된 diode의 reverse recovery time을 기존보다 1/3 수준 이하로 감소시켜 switching loss를 줄이고, circuit 안정성을 확보하였다.

금번 확보된 2세대 Generation Line-up을 통해 삼성, LG, DELTA, Lite-on, FUNAI, SONY, Hitachi, Sharp 등 국내외 유수 업체 등의 주문을 수주하고 있으며, 특히 Low voltage Trench MOSFET은 금년 내 NOKIA, Motorola 등 휴대 이동기기의 Big maker로부터의 추가 수주가 예상되어 수주량은 더욱 증가할 것으로 보인다.

KEC는 MOS 반도체의 설계 및 제조기술의 지속적인 기술혁신을 완성하여 경쟁력을 강화해 나갈 것이며, 휴대이동기기용, 디지털 가전기기용에 이어 산업기기용, 자동차용까지 다양한 POWER 개별반도체를 상품화하여 세계 POWER 개별반도체 TOP 10 진입에 더욱 박차를 가할 계획이다.

KEC 개요
반도체 소자 전문기업 케이이씨(KEC)는 1969년 창업이래 반도체 한 분야에서 외길 만을 걸어온 전자부품산업 전문기업이다. 지속적 기술개발과 경영혁신을 통해 국내외 유수의 전자업체들로부터 품질과 기술력을 인정받고 있다.

웹사이트: http://www.kec.co.kr

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