Power 56 패키지로 최초로 1m Ohm MAX RDS(ON) 장벽 깬 페어차일드 반도체의 30V MOSFET

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2009-09-04 17:26

부천--(뉴스와이어)--페어차일드 코리아(대표이사 송창섭 www.fairchildsemi.com/kr)는 서버, 블레이드 서버, 라우터 디자이너들을 위해서 Power 56 패키지로 업계 최초의 1m 이하 30V MOSFET을 내놓았다. 이 30V MOSFET FDMS7650은 부하 스위치나 ORing FET로 이용할 수 있다. 서버 팜에서 부하를 공유하기 위해 다수의 전원장치를 병렬로 구성할 때 이러한 ORing FET를 이용할 수 있다. FET는 계속적으로 작동하므로 이들 서버 팜의 전반적인 효율을 위해서는 적은 전력을 소모하고 더 높은 효율을 달성하는 것이 중요하다. FDMS7650은 Power 56 패키징으로 1m 한계를 깬 최초의 제품으로서 MAX RDS(ON)이 0.99m에 불과하므로 애플리케이션의 스위칭 손실을 감소시키고 전반적인 효율을 향상시킨다. 이 30V MOSFET은 절반의 FET 수로 동일한 총 RDS(ON)을 달성한다. 예를 들어 2.0m MOSFET을 이용하는 통상적인 애플리케이션에서는 두 배의 FET를 필요로 할 것이다.

FDMS7650은 Fairchild의 첨단의 PowerTrench® MOSFET 기술을 이용해서 이와 같은 혁신적인 RDS(ON)을 달성할 수 있게 되었다. 이 기술은 극히 낮은 RDS(ON), 총 게이트 전하(QG), 밀러 전하(QGD)를 달성하므로 전도 및 스위칭 손실을 최소화함으로써 높은 효율을 달성할 수 있도록 한다.

이 전력 MOSFET은 전력 디자인에 있어서 강력한 이점들을 제공하는 Fairchild의 다수의 MOSFET 제품의 하나이다. 이러한 좋은 예가 Fairchild의 30V 듀얼 N-채널 MOSFET인 FDMC8200과 FDMS9600이다. FDMC8200은 RDS(ON)이 하이 사이드에서 24m 및 로우 사이드에서 9.5m으로서 DC-DC 애플리케이션의 효율을 향상시킨다. FDMS9600은 동기 벅 애플리케이션, 하이 사이드 MOSFET 상에서 낮은 스위칭 손실을 통한 최적의 전력 스테이지, 로우 사이드 SyncFET MOSFET 상에서 낮은 전도 손실을 가능하게 한다.

가격 (each, 1k pcs.): US $0.95
공급: 현재 샘플 출하
납기: 15주 ARO

페어차일드코리아 개요
페어차일드코리아반도체는 국내 최대의 전력용 반도체 메이커로 미국 페어차일드의 한국 법인이다.

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