온세미컨덕터, 디지털 및 혼합 신호 ASIC용 0.18 µm CMOS 제조 공정을 저가에 출시
ONC18 공정은 자동차, 산업 및 의료 애플리케이션용 저전력 및 고집적 디지털/혼합-신호 ASIC(주문형 반도체) 소자 개발에 이상적인 플랫폼이다. ONC18 기반의 솔루션은 오리건주(Oregon), 그레셤(Gresham)에 위치한 온세미컨덕터의 8인치 와이퍼 조립 공장에서 제조될 예정인데 이로써 ITAR호환 파트너와 함께 자국 내 제품을 찾고 있는 미 육군의 애플리케이션 설계자들이 이 솔루션에 큰 관심을 보일 것으로 기대된다.
온세미컨덕터 주문형/파운드리 산업부의 총괄 매니저 겸 책임자인 릭 휘트콤(Rick Whitcomb)은 “자동차, 산업, 의료 및 군사 분야의 설계자들은 ONC18을 이용해 집적된 저전력 디지털과 혼합신호 ASIC을 저렴한 비용으로 신속하게 개발할 수 있을 것이다”라고 말하며 “당사의 칩 가공 자가능력이 미 육군 고객사들에게 유용할 것으로 보이며 향후 예정된 공정 개발은 주문형 파운드리 사업에 주력하고 있는 온세미컨덕터의 의지를 나타낸다”고 덧붙였다.
최대 10M게이트를 요구하는 ASIC에 적합한 ONC18 공정은 4단계와 6단계의 금속층을 특징으로 하며 설계자들은 이 공정을 이용해 1.8V 코어 전압을 1.8V와 3.3V 입/출력(I/O)와 통합할 수 있다. 혼합 신호 설계용 부품으로는 다양한 레지스터와 아주 적은(10fF/µm2) 고도의(2.0 fF/µm2) 적층형 MIM(metal-insulator-metal) 커패시터가 포함된다. 이러한 기초 공정은 광범위한 모듈의 0.18 마이크론 BCD와 고전압 로드맵을 지원한다.
온세미컨덕터의 새로운 공정은 포괄적인 코어, I/O 및 메모리 라이브러리를 제공하는 설계 키트와 함께 지원된다. 게이트 밀도와 고밀도 코어/혼합 신호 코어 셀에 대한 전력 소비는 각각 124 K gates/mm2, 46µW/MHz/gate, 120 K gates/mm2, 28 µW/MHz/gate이다.
메모리 옵션으로는 1.1M 비트 동기의 싱글 포트, 512K 비트 듀얼 포트 SRAM, 1.1M비트의 고정밀, 저누수 VIA-프로그래머블 ROM이 포함된다. ONC18 플랫폼 개발을 통해 향후 온세미컨덕터는 더욱 향상된 혼합 신호 성능과 더 높은 전압 처리 서비스 능력을 확보하게 될 것이다.
새로운 공정 설계 방법은 Cadence®, Synopsys® 및 Mentor Graphics®의 일반적인 디지털 및 아날로그/혼합 신호 CAD 툴과 호환 가능하다. 첨단 다이 스티칭 및 프로토타이핑을 위한 셔틀 서비스와 온세미컨덕터의 특별 서비스 또한 ONC18-기반의 설계에서 이용할 수 있다.
보다 자세한 정보는 Kirk Peterson의 이메일(kirk.peterson@onsemi.com)로 연락하거나 http://www.onsemi.com을 방문하면 얻을 수 있다.
온세미컨덕터 개요
에너지 효율적인 전자 제품의 혁신을 주도하고 엔지니어들이 글로벌 에너지 사용을 줄이기 위한 설계를 가능케 하는 온세미 컨덕터는 자동차, 통신, 컴퓨터, 소비가전, 의료, 휴대폰, 군사/항공 시장의 고객들이 독특한 설계 과제를 해결하도록 에너지 효율적인 전력/신호 관리, 로직을 비롯해 개별 소자와 맞춤식 솔루션 포트폴리오를 다양하게 포괄적으로 제공한다. 온세미컨덕터는 즉각적이고 신뢰성 있는 세계 최고 수준의 공급망을 운영 중이며 북미, 유럽, 아시아 태평양 지역의 주요 시장에 제조 공장, 판매 대리점, 디자인 센터 네트워크를 통해 기술 서비스를 제공하고 있다. 더 자세한 정보를 알려면 http://www.onsemi.com을 방문하면 된다.
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