KEC, 효율이 2배 향상된 ‘Trench IGBT’ 개발…올해 양산 출시예정
KEC 관계자는 “Trench 기술은 기존의 Planar 기술을 적용한 IGBT에 비해 Cell의 집적도를 높여 제품 성능이 2배 이상 우수하고 제조원가도 50% 이상 절감될 뿐만 아니라 현재 보유중인 MOS 공정 라인을 이용하기 때문에 별도의 투자 없이 획기적인 원가절감으로 상품 경쟁력을 대폭 향상시킬 수 있다. 또한 이 기술은 향후 Module 제품에도 확대 적용해 나갈 예정이다”고 밝혔다.
이로써 2008년말부터 전력반도체 시장의 핵심소자인 IGBT 소자를 출시했던 KEC는 금번 개발한 Trench IGBT 기술을 토대로 차세대 성장동력으로 자리매김한 태양광발전, 풍력발전 등의 신 에너지의 발전 설비나 각종 산업기기의 모터제어, 전기자동차, 전동차 등에 적용되는 전력반도체 시장에 진출할 수 있는 기반을 마련했으며 보다 경쟁력 있는 상품 확보가 가능할 것으로 보여진다.
전문 시장조사 기관에 따르면 IGBT는 전력반도체 시장에서의 비중이 점점 증가하고 있으며, 향후 수년간 폭발적으로 수요가 증가할 것으로 예상되고 있다. KEC는 본 제품을 통하여 초년 도에는 80억원 매출, 향후 수백억 대로 성장할 것으로 예상하고 있다.
KEC 개요
반도체 소자 전문기업 케이이씨(KEC)는 1969년 창업이래 반도체 한 분야에서 외길 만을 걸어온 전자부품산업 전문기업이다. 지속적 기술개발과 경영혁신을 통해 국내외 유수의 전자업체들로부터 품질과 기술력을 인정받고 있다.
웹사이트: http://www.kec.co.kr
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