인피니언의 3세대 High Speed 600V 및 1200V IGBT, 스위칭 및 효율 한계 극복
최근 수년 동안 디스크리트 IGBT를 필요로 하는 애플리케이션의 요구에 따라 디자이너들은 애플리케이션에서 최대한의 성능을 이끌어내기 위한 특정한 특성 (예: 스위칭 손실과 전도 손실 최적화)을 갖춘 IGBT를 원하게 되었다. 인피니언의 신형 600V 및 1200V High Speed 3 제품군은 전기 용접기, 태양열 인버터, SMPS, UPS 등의 고주파 애플리케이션의 디자이너들이 자신의 시스템으로부터 최대한의 성능을 이끌어낼 수 있도록 한다.
인피니언 테크놀로지스 IGBT 전력 디스크리트 사업부의 로널드 스틸 (Roland Stele) 선임 마케팅 이사는 “지난 몇 년 동안 산업용 드라이브, IH, 용접, UPS, 태양열 인버터 애플리케이션에서 IGBT에 대한 수요가 급격히 늘어나고 있다. 이들 애플리케이션은 특별히 최적화된 전력 스위치를 필요로 한다. 인피니언의 최신 세대의 혁신적인 IGBT는 고주파를 필요로 하는 애플리케이션에 최적화되었으며 스위칭 손실을 최소화하고 효율을 향상시킨다.”고 말했다.
신형 High Speed 3 IGBT 제품군은 최고 100kHz로 스위칭하는 애플리케이션에 최적화되었다. 이전 세대와 비교해서 총 턴오프 손실이 35퍼센트 감소하였다. 턴오프 손실을 크게 줄일 수 있었던 것은 75퍼센트까지 줄어든 극히 짧은 테일 전류 시간에 따른 것인데, 이는 MOSFET의 턴오프 스위칭 동작을 보여준다.
Vce(sat)(온상태 포화 전압)이 전반적인 손실에 있어서 중요한 역할을 하기 때문에, 스위칭 손실과 전도 손실의 적절한 균형을 맞추었다. 신형 High Speed 3 제품군은 스위칭 손실이 극히 적을 뿐만 아니라 Vce(sat)이 근본적으로 낮은 인피니언의 검증된 Trenchstop™ 기술 덕분에 전도 손실 또한 적다.
High Speed 3 제품군 중에서 환류 다이오드 (free wheeling diode)를 내장한 IGBT의 경우, 다이오드의 크기가 고속 스위칭에 최적화되어 높은 유연성 (softness)을 유지하고 애플리케이션에 우수한 EMI 동작을 제공한다.
인피니언 테크놀로지스 개요
인피니언 테크놀로지스는 전력 시스템 및 IoT 분야의 글로벌 반도체 리더이다. 인피니언의 제품 및 솔루션은 탈탄소화 및 디지털화를 선도한다. 2024년 회계연도(9월 30일 마감) 기준 전 세계 약 5만8060명의 직원들과 함께 150억유로 매출을 달성했다. 인피니언은 프랑크푸르트 증권거래소(거래 심볼: IFX)와 미국 장외시장 OTCQX International Premier(거래 심볼: IFNNY)에 등록돼 있다.
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