페어차일드 반도체, 150V Low RDS(ON) MOSFET 출시

- LED 라이팅, 솔라 그리고 산업용 설계의 효율과 출력전력 증가

뉴스 제공

2010-07-27 09:48

부천--(뉴스와이어)--DC-DC 설계자들은 작은 공간에서 보다 낮은 스위칭 손실 및 노이즈를 줄일 수 있는 MOSFET설계를 필요로 한다. 시스템 기술뿐만 아니라, 향상된 공정 및 패키징 기술을 통해서 페어차일드는 낮은 RDS(on) (17mOhm MAX), 높은 효율을 가능케 하는 최적화된 성능지수(17mOhm * 33nCº Max), 낮은 전력손실 그리고 5mm x 6mm MLP 패키지로 열이 적게 발생하는 150V MOSFET를 출시했다.

FDMS86200 제품은 낮은 스위칭 노이즈와 낮은 EMI를 제공하는 shielded-gate MOSFET 기술을 이용해 설계 되었다. 이러한 고유기술이 없다면 설계자는 RDS는 두배이고, 전반적인 효율이 떨어지는 200V MOSFET를 사용해야만 한다. 또한 이 제품은 손실을 줄임으로써 스위칭 성능을 올릴 수 있는 향상된 Body 다이오드의 특징이 있다.

페어차일드는 최대한 다양한 MOSFET 제품군을 소개함으로써, 설계자는 해당 응용에 적합한 MOSFET를 선택할 수 있다. 이러한 유일한 기능, 공정 그리고 패키징 혁신 그리고 전반적인 시스템 기술은 전자제품 제조업체에게 보다 나은 혁신을 제공한다. 페어차일드 MOSFET 제품군은 넓은 범위의 반도체 항복 전압(20V ~ 1000V)과 1mm x 1.5mm WL-CSP에서 20mm x 26mm TO264까지 향상된 패키징 기술을 가지고 있다.

가격(개당, 1천개 수량) : 1.92달러
공급 : 현재 샘플 출하
납기 : 12~15주

페이차일드 반도체에 대해서

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페어차일드코리아 개요
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