삼성전자 김기호 부사장·삼성전기 김창현 전무 ‘IEEE Fellow’ 선정

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삼성전자 코스피 005930

2011-01-03 11:12

서울--(뉴스와이어)--삼성전자 DMC연구소장 김기호 부사장과 삼성전기 기술총괄 김창현 전무가 미국 전기전자공학회(IEEE: Institute of Electrical and Electronics Engineers)의 석학회원(Fellow:펠로우)으로 선임됐다.

‘IEEE Fellow’는 IEEE 회원 최상위 0.1% 내에 있는 회원에게 부여하는 최고 등급으로 반도체, 전기, 전자 등 각 분야에서 10년 이상 경력자인 회원 중 탁월한 자질과 연구개발 업적으로 사회 발전에 기여한 사람을 대상으로 매년 선정된다.

삼성전자 DMC연구소장 김기호 부사장은 4G(세대) 안테나 기술·수신기술 개발과 세계최초 4G 시연 등을 통한 4G 상용화/표준화에 기여했으며 활발한 국제이동통신분야 표준활동(IEEE 802.11, IEEE802.16, 3GPP)으로 WiBro, LTE에서 다수의 4G 표준기술 확보하였고 이동통신분야의 해외 우수 학회 기조연설 등을 통한 4G 기술의 확대에 크게 기여했다.

김기호 부사장은 디지털 신호처리 전문가로 통하며 통신시스템은 물론 멀티미디어, 시스템 아키텍처, 소프트웨어에 정통한 삼성의 대표적인 기술 리더이다.

1980년 한양대 전자공학부(학사)와 1982년 KAIST 전자공학(석사)을 졸업하고 1991년 미국 텍사스 주립대(UT Austin)에서 박사학위를 취득한 김기호 부사장은 삼성전자 통신연구소와 종합기술원을 거쳐 현재 삼성전자 DMC연구소장으로 있다.

한편 삼성전기 기술총괄 김창현 전무는 반도체 분야의 저전력, 고성능, 고집적 메모리 개발 기술의 업적으로 IEEE Fellow에 선정됐다.

김창현 전무는 세계최초 1GHz 동작의 램버스DRAM 개발로 초고속 DRAM 시대를 개척했고, DDR2/DDR3 제품 선행 개발로 고성능 제품 구현과 JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council : 국제 반도체공학 표준 협의기구)표준화를 선도한 인물로 유명하다.

또한 3D Cell 및 Chip Stack 신기술 개발로 고집적 기술 확보 및 메모리 반도체 한계를 극복하는데 크게 기여했다.

김창현 전무는 2004년에 삼성의 기술을 대표하는 인력에게 부여하는 최고의 명예인 삼성 Fellow에 선정된 바 있다.

김창현 전무는 1982년 서울대 전자공학부를 졸업하고, 1995년 미국 미시건대 학술연수를 통해 박사학위를 취득했고, 현재 삼성전기 기술총괄 및 연구소장으로 있다.

삼성전자 개요
삼성전자는 반도체, 통신, 디지털 미디어와 디지털 컨버전스 기술을 보유한 글로벌 리더다. 삼성전자는 디지털 어플라이언스 부문, 디지털 미디어 부문, LCD 부분, 반도체 부문, 통신 네트워크 부문 등 5개 부문으로 이뤄져 있다. 세계에서 가장 빠르게 성장하는 브랜드인 삼성전자는 스마트폰, 디지털 TV, 메모리 반도체, OLED, TFT-LCD 분야에서 세계 선두 주자다.

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