삼성전자, 300㎜ 플래시 메모리 전용라인 본격 가동
삼성전자는 30일 삼성전자 황창규 반도체 총괄사장, 김재욱 제조담당 사장 등 임직원 300여명이 참석한 가운데, 기존 라인을 통한 70나노 4Gb NAND 플래시 양산 출하와 함께 업계 첫 플래시 메모리 전용 300㎜ 웨이퍼 라인인 14라인 가동을 시작했다.
삼성전자는 30일 삼성전자 황창규 반도체 총괄사장, 김재욱 제조담당 사장 등 임직원 300여명이 참석한 가운데, 기존 라인을 통한 70나노 4Gb NAND 플래시 양산 출하와 함께 업계 첫 플래시 메모리 전용 300㎜ 웨이퍼 라인인 14라인 가동을 시작했다.
14라인은 300㎜ 90나노 2Gb 플래시 메모리 4천장을 시작으로 본격적인 가동에 돌입했으며, 6월말에는 70나노 공정을 적용한 4Gb 제품을 본격 양산할 계획이다.
특히, 300㎜ 웨이퍼는 기존 200㎜ 웨이퍼에 비해 칩 생산량이 2.25배 많으며, 70나노 공정은 90나노 공정에 비해 65% 정도 높은 원가 경쟁력을 가지고 있어, 삼성전자의 플래시 메모리 경쟁력은 더욱 강화 될 것으로 분석된다.
현재 NAND 플래시 메모리는 모바일 기기에 최적의 디지털 저장 매체로 부상하고 있으며, 휴대폰, MP3플레이어, 디지털 카메라, 디지털 캠코더, SSD, 메모리카드, 플래시메모리 USB, 게임기 등 다양한 제품으로 시장이 급성장하고 있는 상황이다.
특히, 동영상 멀티미디어 데이터들이 일반화되며 이들 제품이 요구하는 데이터 용량은 기하급수적으로 증가하여 안정성과 초고속 처리속도를 제공하는 대용량 제품의 공급이 필수적이었다.
이러한 상황에서 삼성전자가 업계 최초로 플래시 메모리 전용 300㎜ 웨이퍼 라인을 본격적으로 가동한 것은, 플래시 메모리 시장의 패권을 굳히고 소비자들이 요구하는 고성능제품들의 확장에 더욱 가속도를 붙일 것으로 전망된다.
삼성전자는 이번 14라인의 양산규모를 올해 연말까지 1만5천매 규모로 확대해 플래시 메모리 업계 1위의 리더십을 더욱 강화해 나갈 계획이다.
□ 세계 최초 70나노 4Gb 낸드 플래시 메모리 양산 (기존 라인)
삼성전자가 이번에 양산하는 4Gb 플래시 메모리는 업계 처음으로 70나노 공정을 적용해 양산하는 제품으로 셀 하나에 데이터 한 개를 저장하는 SLC(Single Level Cell) 기술을 적용했으며, 데이터를 저장하는 셀(Cell) 면적은 업계 최소 크기인 0.025 제곱마이크로미터에 불과한 첨단 제품이다.
0.025 제곱마이크로미터는 성인 머리카락 단면평균면적(7,853 제곱마이크로미터)의 314,000분의 1에 해당하는 것으로, 삼성전자는 반도체 양산제품의 공정과 메모리 셀 면적 모두 세계 최소인 신기록을 달성, "나노 테크놀러지" 기술력을 입증했으며 플래시 메모리 분야에서 1Gb, 2Gb 제품에 이어 이번 4Gb 제품에 이르기까지 3세대 연속 세계 최초 양산을 성공하는 기술력을 선보였다.
또한, 4Gb 플래시 메모리를 카드로 만들면 8GB 용량의 메모리카드 제작이 가능한데, 이는 DVD급의 고화질 동영상 8시간 분량을 저장할 수 있는 용량으로 이제는 DVD영화 여러 편을 메모리카드 하나에 담아 이용하는 것이 가능하게 되었다.
한편 반도체 전문 조사기관인 데이터 퀘스트에 따르면 삼성전자는 지난 2002년 44.4%의 시장점유율을 기록하면서 NAND 플래시 업계 1위에 올랐으며, 지난해에는 54%로 시장점유율로 확대하면서 업계 1위를 고수하고 있는 것으로 나타났다.
올해 NAND 플래시 시장은 80억불 규모로 예상되며, '08년에는 130억불 규모의 시장이 될 것으로 전망된다.
삼성전자 개요
삼성전자는 반도체, 통신, 디지털 미디어와 디지털 컨버전스 기술을 보유한 글로벌 리더다. 삼성전자는 디지털 어플라이언스 부문, 디지털 미디어 부문, LCD 부문, 반도체 부문, 통신 네트워크 부문 등 5개 부문으로 이뤄져 있다. 세계에서 가장 빠르게 성장하는 브랜드인 삼성전자는 스마트폰, 디지털 TV, 메모리 반도체, OLED, TFT-LCD 분야에서 세계 선두 주자다.
