페어차일드 반도체, 높은 효율과 전력 밀도를 제공하는 Generation II XS™ DrMOS 제품군 개발

- 효율, 특성, PWM 컨트롤러를 고려한 최적의 디바이스 선정을 가능케 하는 폭넓은 포트폴리오

뉴스 제공

2011-05-27 14:39

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부천--(뉴스와이어)--고효율, 대전류 처리 능력 및 소형 폼팩터는 전압 정류기 솔루션을 위한 구성 부품 선정 시 파워 서플라이 설계자에게 중요하다. 이러한 요구를 충족시키기 위해, 고성능 전력 및 모바일 제품의 선도적인 글로벌 공급 업체인 페어차일드 반도체는 설계자가 다양한 어플리케이션의 특정 설계 요구 사항을 만족시킬 수 있도록 높은 효율과 전력 밀도를 제공하는 Generation II XS™ DrMOS[통합된 드라이버 + MOSFET] 제품군을 개발했다.

Generation II XS™ DrMOS 디바이스는 소형의 6mm x 6mm 고성능 clip PQFN 패키지로 12Vin, 1Vout, 그리고 25A조건에서 91.5 % 이상의 대부하 효율과 94% 최고 효율을 특징으로 한다. Generation II XS™ DrMOS 는 2MHz 스위칭 주파수에서 동작하고 최대 50A의 전류 처리 능력을 지원한다.

MOSFETs, 게이트 드라이버 IC, 그리고 패키지 기술의 전문성을 극대화시켜 페어차일드는 보다 나은 효율을 위해서 Generation II XS™ DrMOS 디바이스를 최적화 했고 새로운 기능을 개발 했다. 이러한 향상된 기능은 블레이드 서버, 고성능 게이밍 마더보드, 고성능 노트북, 그래픽 카드 그리고 대전류 DC-DC point-of-load (POL) 컨버터 와 같은 어플리케이션에 이상적인 Generation II XS™ DrMOS 제품군을 만들었다.

해당 제품군의 디바이스들은 Intel® DrMOS 4.0 사양을 만족하는 5V와 3.3V Tristate 레벨을 제공 하고 시장의 다양한 PWM 컨트롤러와 호환된다. Generation II XS™ DrMOS 제품군은 제어 FET와 동기 FET에 PowerTrench® MOSFET Shielded Gate 기술을 적용하여 Ringing 현상을 상당히 줄인다. 동기 FET 또한 쇼트키 다이오드를 내장함으로써 외부 스너버 회로를 제거할 수 있고, 전반적인 성능과 전력 밀도를 개선하며 공간과 비용을 줄일 수 있다. Generation II XS DrMOS 디바이스는 또한 고객의 안전을 위하여 예기치 못한 불량 상황 중의 과열을 방지 할 수 있는 열 경고 기능을 포함한다.

Generation II XS DrMOS 포트폴리오는 다양한 고객 및 어플리케이션 요구를 충족시킬 수 있다.

페어차일드 반도체의 Generation II XS DrMOS 시리즈는 오늘날의 전원장치 설계에서 직면하는 에너지 효율 및 폼팩터에 대한 여러 도전들에 대응하는 업계 선두의 기술을 제공한다. Generation II XS DrMOS 디바이스는 전력에 민감한 어플리케이션에서 에너지 절감을 극대화 할 수 있는 페어차일드의 에너지 효율적인 전력 아날로그, 전력단일소자와 광전자 솔루션의 주요 부분이다.

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가격
- FDMF6705 (개당, 1천 개 수량): 2.86달러
- FDMF6705V (개당, 1천 개 수량): 2.92달러
- FDMF6706C (개당, 1천 개 수량): 3.3달러
- FDMC6707B (개당, 1천 개 수량): 3.96달러

공급: 현재 샘플 출하
납기: 8~10주

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비고: PDF 포맷의 데이터 시트 참조
- http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMF6705.pdf
- http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMF6705V.pdf
- http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMF6706C.pdf
- http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMF6707B.pdf

페어차일드 반도체

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