삼성전자, 플래시 메모리보다 100만배 내구성 확보한 RRAM 기술 개발
- 차세대 메모리로 각광받는 RRAM의 내구성을 높인 新구조 제안
- 쓰기-지우기 1조번 반복할 수 있는 내구성 확보, 상용화 가능성 열어
- 연구결과는 세계적 권위의 국제학술지 ‘네이처 머티어리얼즈’에 발표
RRAM 저항체 (Resistor)
삼성전자는 RRAM의 저항변화 물질로 산화탄탈륨(Ta2O5)을 사용, 산소 함량이 다른 산화탄탈륨 Ta2O5-x와 TaO2-x의 2중층으로 나눠 전류를 흘려 주는 필라멘트를 Ta2O5-x의 한 층에만 분포되도록 했다.
삼성전자는 필라멘트의 분포를 제어하는 RRAM 신기술 개발을 통해 쓰기-지우기 동작을 1조번 반복할 수 있는 우수한 내구성을 확보하는 것은 물론, 전류량도 감소할 수 있게 됐다.
또한, 트랜지스터와 레지스터(Resistor)를 각각 1개씩 구성하는 1T1R(1 Transistor 1 Resistor)의 기존 RRAM 구조를 별도의 트랜지스터가 필요없는 구조로 바꿔 메모리 용량을 늘릴 수 있는 가능성도 제시했다.
삼성전자의 이번 연구 결과는 영국에서 발간하는 세계적 권위의 학술지 ‘네이처 머티어리얼즈(Nature Materials)’ 인터넷판(10일자)에 ‘산화탄탈륨(Ta2O5-x/ TaO2-x)의 비대칭 2중층 구조로 빠른 전환, 고내구성의 고용량 RRAM 구현’이라는 제목으로 게재됐다.
삼성전자 개요
삼성전자는 반도체, 통신, 디지털 미디어와 디지털 컨버전스 기술을 보유한 글로벌 리더다. 삼성전자는 디지털 어플라이언스 부문, 디지털 미디어 부문, LCD 부분, 반도체 부문, 통신 네트워크 부문 등 5개 부문으로 이뤄져 있다. 세계에서 가장 빠르게 성장하는 브랜드인 삼성전자는 스마트폰, 디지털 TV, 메모리 반도체, OLED, TFT-LCD 분야에서 세계 선두 주자다.
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