Intel과 Micron, 2011 Flash Memory Summit에서 가장 혁신적인 플래시 메모리 기술상 수상
Intel과 Micron의 20nm 8 기가바이트(GB) NAND 디바이스는 최소형의 폼팩터에서 최고의 용량을 제공한다. Intel과 Micron의 NAND 플래시 합작 회사인 IM Flash Technologies가 생산하는 이 새로운 디바이스는 NAND 프로세스 및 기술 디자인의 획기적인 진전으로, 양사의 리소그래피(lithography) 우위를 한층 확대하고 있다.
NAND 리소그래피를 이 기술 노드로 축소하는 방식은 현재로서 NAND 출력을 증대시키는 가장 비용 효과적인 방법이며, 현용 기술에 비해 약 50% 이상의 기가바이트 용량을 추가로 제공할 수 있다. 새로운 20nm 가공 기술은 또한 전세계의 정보에 대한 즉각적이며 합리적인 비용의 액세스를 가능하게 한다는 양사의 목표를 촉진하는데 도움이 되고 있다.
“데이터 센터에서 전기능 스마트폰 및 태블릿에 이르기까지 스토리지의 증가로 인하여, 특히 크기는 줄이면서 용량은 증대시키는 등, 새로운 NAND 플래시 기술이 요구되고 있다. Micron은 Intel과 공동으로 개발한 업계 제일의 기술에 자부심을 가지고 있으며, Flash Memory Summit에서 이 기술로 수상의 영예를 안게 되어 기쁘기 그지없다”고 Micron의 NAND 솔루션 그룹 담당 부사장인 Glen Hawk가 말했다.
“NAND 반도체 프로세스와 다이 레벨(die level) 혁신은 플래시 메모리 업계가 SSD(solid-state drive)와 같은 매력적인 최종 솔루션을 제공할 수 있는 토대가 된다. Flash Memory Summit이 Intel과 Micron이 공동으로 이루고 있는 혁신과 성공을 지속적으로 인정하고 있다는 점을 우리는 기쁘게 여긴다”고 Intel 부사장 겸 Intel 비활성 메모리 솔루션 그룹의 총괄 관리자인 Tom Rampone이 말했다.
아울러, 새로운 20nm 8GB 디바이스의 크기가 118 mm2에 지나지 않아, 기존의 25nm 8GB NAND 디바이스에 비해 (패키지 종류에 따라) 보드 공간을 30 ~ 40% 줄일 수 있다. 플래시 스토리지 레이아웃의 축소로 시스템 레벨 효율성이 향상되므로, 태블릿 및 스마트폰 제조업체들이 대형 배터리, 대형 스크린이나 새로운 기능을 처리할 또 다른 칩의 탑재와 같은 최종 제품의 개선에 이 여유 공간을 활용할 수 있다.
Flash Memory Summit은 전적으로 플래시 메모리 및 그 애플리케이션만을 다루는 유일한 컨퍼런스로서, 시스템 설계자, 애널리스트, 하드웨어 및 소프트웨어 엔지니어, 제품 마케팅 및 마케팅 홍보 전문가, 엔지니어링 마케팅 관리자들을 대상으로 한다. 이 회의는 포럼, 반일 튜토리얼, 논문 및 패널 세션, 전문가 원탁회의로 이루어져 있으며, 까다로운 환경, 랩톱, 엔터프라이즈 스토리지 시스템 애플리케이션, 소비자 제품, 성능, 제품 설계, 캐싱(caching) 방법, 설계 방법, 소프트웨어, 신기술, 시장 조사, 테스트 및 신뢰성, 보안 등과 같은 주제를 다룬다. 이 정상회의에는 최신 제품 및 수상 제품의 전시도 병행된다. 추가 정보는 다음 사이트에서 찾을 수 있다: www.flashmemorysummit.com
웹사이트: http://www.micron.com
연락처
Daniel Francisco
Micron Technology, Inc.
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이 보도자료는 Micron Technology가(이) 작성해 뉴스와이어 서비스를 통해 배포한 뉴스입니다.
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