Micron, 2Gb 및 4Gb 제품으로 대기시간 짧은 저전력 DDR3Lm 카테고리 신설

- 초박형 태블릿 시장에 이상적

- 저전력의 충분한 셀프-리프레시로 배터리 수명이 오래 가는 첫 번째 DDR3

뉴스 제공

2012-02-12 11:25

보이시, 아이다호주--(뉴스와이어)--Micron Technology, Inc. (Nasdaq:MU)는 태블릿 및 초박형 시장을 겨냥한 저전력 DDR3 신제품 카테고리를 신설하여 메모리 시장에서 자사의 레거시를 확장하고 있습니다. 이 2Gb 및 4Gb “DDR3Lm” 솔루션은 저전력 리프레시(I<sub>DD6</sub>)에 중점을 두고 배터리 수명을 늘리는 동시에, PC DRAM의 고성능 및 비용 효율성을 유지할 수 있습니다.

첫 번째 2Gb DDR3Lm은 표준 2Gb DDR3L에 비해 최대 50%의 셀프-리프레시 전력이 절감되는 한편, 필요 시 최대 -1600 MT/s의 성능을 제공합니다. Micron의 4Gb DDR3Lm 제품은 2Gb 부품과 동일하게 최적화된 전력 효율을 제공하며, 칩 카운트를 줄여서 초박형 태블릿 고객들에게 이상적입니다. 2Gb 및 4Gb DDr3Lm은 Micron의 30-나노미터(nm)급에 도입되어 전력과 성능 특성을 더욱 최적화하고, 4Gb디바이스로 대기 모드에서 3.7mA I<sub>DD6</sub>를 충족시키며, 최대 -1866 MT/s의 속도를 지원할 예정입니다.

Micron의 DRAM 마케팅 담당 부사장 Robert Feurle은 “전력 감소는 빠르게 성장하는 초박형 시장에서 가장 중요한 문제로 등장하고 있다. 전통 방식의 PC 메모리 요건을 누구보다 잘 아는 Micron은 이러한 시장에서 높은 성능과 최적의 비용 효율성을 구현할 수 있다”고 말했습니다. 그는 “고객과 협업하고 DRAM기술을 선도하기 위한 당사의 노력은 이미 성공을 거두었고, 이번에 선보이는 30nm DRAM에서도 당사의 약속을 계속 지켜나갈 것이다”라고 덧붙였습니다.

Intel의 메모리 이네이블링 담당 수석 매니저 Geof Findley는 “모바일 연산이 증가하면서, 긴 배터리 수명은 최종 사용자들에게 더욱 중요해지고 있다”면서, “저전력 메모리의 대기 전력 감소는 올바른 해결책이 될 것이다”라고 말했습니다.

Micron의 새 DDR3Lm 저전력 제품 라인 샘플링은 이미 시작되었고, 30nm급 디바이스의 대량 생산은 2012년 2분기에 시작될 전망입니다. DDR3Lm에 관한 자세한 정보는 http://www.micron.com/products/dram/ddr3-sdram 을 참조하십시오.

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