NTSI, 최초로 인도에 대형 반도체FAB 건설키로
NTSI 민병준 사장은 2004년 9월 앤드라 프라데쉬주 주 정보통신부장관-모한티 박사로부터 반도체FAB에 관한 의향서(LOI)를 받아 2004년 12월 앤드라 프라데시주와 양해각서(MOU)를 체결하고 하이데라바드 외곽지역에 최초로 인도의 반도체 칩 제조설비(FAB)를 건설한다.
NTSI 관계자는 앤드라 프라데쉬주의 하이데라바드 지역은 LCD 및 반도체FAB으로 적합한 고온, 저습도, 맑은 공기 등과 같은 자연적 특성을 지녀 반도체FAB 지역으로 선정되었다고 설명했다.
NTSI의 반도체FAB은 표준 IC제품(MPU, MCU, DSP, STD Cell)에 초점을 맞추고 PC용 칩, 셀룰러 칩, 디지털가전 칩, 자동차용 IC, 일부메모리 및 고속 플래시 메모리를 제조할 계획이다.
NTSI 반도체 FAB 프로젝트는 총 미화 6억 달러가 투자될 예정이다.
세계 유수의 반도체 업체로부터 1억6천만달러, 인도기업에서 FAB건설에 필요한 미화 1억 5천만 달러를 지원받으며, 인도 국가은행이 NTSI에 미화 2억 9천만달러의 신디케이션을 해준다.
NTSI 민병준 사장은 “NTSI는 반도체 설계부터 팩키지 및 보드조립까지 반도체 관련 많은 제조회사의 인프라를 구축하여 앤드라 프라데시주의 GDP성장에 크게 기여할 것”이며 “향후 인도의 소프트웨어에 치중된 산업을 하드웨어 쪽으로 중심을 옮기는데 NTSI가 중추적 역할을 할” 것 이라고 설명했다.
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