페어차일드 반도체의 확장 PowerTrench MOSFET 제품군, SMPS 설계에서 강화된 전력 밀도와 증가된 효율 제공
페어차일드 반도체의 확장 PowerTrench MOSFET 제품군
디바이스들은 전하 밸런스 기능을 제공하는 실리콘 쉴디드-게이트(shielded-gate) 기술을 채용하여 보다 높은 전력 밀도, 낮은 링잉(ringing) 특성, 그리고 향상된 경부하 효율 특성을 달성한다. 이 기술을 사용함으로써 디바이스들은 상대적으로 낮은 성능 지수(QG x RDS(ON))를 달성하면서 동시에 구동 손실을 낮춰 전력 효율을 증대시킬 수 있다.
초기 공급될 디바이스에는 Power56 패키지로 제공되는 40V FDMS015N04B와 80V FDMS039N08B, TO-220 3-리드 패키지로 제공되는 60V FDP020N06B 와 80V FDP027N08B가 있다.
특징 및 장점:
- 소형화된 패키지 크기(Power56 및 TO-220 3-리드)는 시스템 크기 대비 최대 온도 성능을 제공한다.
- 상대적으로 낮은 QG는 게이트 구동 손실을 낮춘다.
- 불필요한 턴-온을 방지하는 낮은 QGD/QGS 비율은 시스템 성능을 향상시킨다.
- 낮은 동적 기생 커패시턴스는 고주파수 애플리케이션에 대해 게이트 구동 손실을 낮춘다.
- 100% UIL 테스트 완료
- RoHS 준수
이들 새로운 PowerTrench MOSFET의 추가로 페어차일드의 중전압 MOSFET 제품이 강화되었다. 디바이스들은 포괄적인 PowerTrench 기술 포트폴리오에 포함되며, 최신 전자장치들의 전기 및 열 성능 요구사항들을 충족시킴으로써 보다 높은 에너지 효율을 달성하는 데 있어서 중요하다.
가격: 1,000개 공급물량 기준 개당 가격
- FDMS015N04B: 1.78달러
- FDMS039N08B: 1.60달러
- FDP020N06B: 4.50달러
- FDP027N08B: 3.30달러
상태: 요청 시 샘플 제공 가능
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- http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS039N08B.pdf
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