Micron ‘하이브리드 메모리 큐브’, EE Times와 EDN에 의해 올해의 메모리 제품으로 선정
본 상은 이번 주, 전자제품 설계 엔지니어, 기업가, 기술 전문가들을 위한 연례 기술대회인 Design West에서 열린 EE Times 및 EDN 시상식에서 발표되었다. 올해의 수상은, 광범위한 애플리케이션 분야의 시스템 설계자들이 광대역, 밀도, 전력 효율성에 대한 증가하는 수요를 지원할 수 있는 새로운 메모리 시스템 디자인을 기대하고 있는 상황이라는 점에서 업계의 중대한 시점에 방점을 찍은 것으로 해석된다. 업계를 이끌어가거나 영향력있는 인사들은 HMC가 “메모리 벽”이라고 알려져 있는 DRAM의 성능개선률과 프로세서 데이터 소비율 간에 성장률 차이를 극복할 수 있다고 인식하고 있다.
“Electronic Design News와 EE Times는 업계에서 가장 영향력 있는 기관들로서, 설계 엔지니어들과 시스템 기술자들이 즐겨 읽는 간행물입니다”라고 Micron의 DRAM 솔루션 그룹 부사장인 Brian Shirley가 말했다. “우리는 하이브리드 메모리 큐브가 전자업계에 미치고 있는 유례가 없는 영향력과 가치에 대해 이 두 기관이 우리와 시각을 같이 하고 있다는 점에서 영광으로 생각합니다.”
업계에 활력소가 되고 있는 HMC는 집적된 개별 칩들을 전자적으로 연결하는 고급 TSV(Through-Silicon Vias) 기술, 즉 수직형 전선관(Vertical Conduit)을 사용하여 고성능 로직을 Micron의 최첨단 DRAM 칩과 결합한다. HMC는 현재의 장치 능력을 훨씬 뛰어넘는 광대역과 효율성을 제공함으로써 DDR3 모듈보다 15배나 빠르게 데이터를 전송함과 동시에 기존의 기술보다 에너지는 70%, 공간은 90%를 덜 사용한다. Micron은 올해 후반에는 이 혁명적인 기술로 이루어진 첫 엔지니어링 샘플을 선적하게 될 것으로 기대하고 있다.
Micron 소개
Micron Technology, Inc.는 첨단 반도체 솔루션을 제공하는 세계 선두 업체 중 하나로, 전세계적으로 최첨단 기술의 컴퓨팅 제품 및 소비재 제품, 네트워킹 제품, 내장 제품 및 휴대용 제품에 사용되는 획기적인 메모리 기술 및 패키징 솔루션과 반도체 시스템은 물론 모든 종류의 DRAM, NAND Flash 및 NOR Flash 메모리를 제조 및 판매하고 있다. Micron의 보통주는 NASDAQ에서 MU라는 약어로 거래되고 있다. Micron Technology, Inc에 대한 자세한 정보는www.micron.com를 참조한다.
(C)2013 Micron Technology, Inc. All rights reserved. 정보는 고지 없이 변경될 수 있습니다. Micron 및 Micron 궤도 로고는 Micron Technology, Inc의 상표입니다. 다른 모든 상표는 각 소유자의 재산입니다. 이 보도자료에는 하이브리드 메모리 큐브의 제작에 대한 전망적 진술이 포함되어 있습니다. 실제 사건이나 결과는 전망적 진술에 포함된 것과 크게 다를 수 있습니다. Micron이 수시로 증권거래위원회(SEC)에 연결 기준으로 제공하는 서류, 특히 가장 최근 서류인 10-K 및 10-Q 양식을 참고하십시오. 이들 문서에는, 우리의 전망적 진술에 포함된 것과 상당히 다른, 실제 결과들의 원인으로 작용했을 수 있는 중요한 요소들이 수록 및 명시되어 있습니다(특정 요인[Certain Factors] 항목 참고). 저희는 전망적 진술에 반영되어 있는 내용이 합리적이라고 생각하지만, 향후의 결과 및 활동 수준, 성과 또는 달성 내용을 보장할 수는 없습니다.
웹사이트: http://www.micron.com
연락처
Micron Media Contact
Micron Technology, Inc.
Scott Stevens
+1-512-288-4050
이메일 보내기
이 보도자료는 Micron Technology가(이) 작성해 뉴스와이어 서비스를 통해 배포한 뉴스입니다. 뉴스와이어는 편집 가이드라인을 준수합니다.