Micron, 16-나노미터 플래시 메모리 기술 선보여

- 세계 최소형의 가장 진보된 반도체 프로세스 노드

- 소비자 애플리케이션 및 데이터 센터의 스토리지 요구 부응

보이시, 아이다호주--(뉴스와이어)--Micron Technology, Inc., (Nasdaq:MU)는 오늘, 차세대 16-나노미터(nm) 프로세스 기술을 샘플링하여 업계 최소형의 128-Gb MLC(multi-level cell) NAND 플래시 메모리 장치를 구현하고 있다고 밝혔다.

16nm 노드는 업계 선도적인 플래시 프로세스이자 반도체 장치를 샘플링하는 데 필요한 최첨단 노드이다. 이를 통해, 스토리지 기술 개발에서 Micron의 선도적인 위치가 강화될 것이며, Micron의 비전을 바탕으로 최고급 반도체 솔루션을 제공하게 될 것이다.

Micron의 128Gb MLC NAND 플래시 메모리 장치는 소비자 SSD, 탈착식 스토리지(USB 드라이브 및 플래시 카드), 태블릿, 초박막 장치, 휴대 단말기 및 데이터 센터 클라우드 스토리지 같은 애플리케이션을 겨냥한 것이다. 신형 128Gb NAND 플래시 메모리는 제곱 밀리미터 당 가장 많은 비트 수를 제공하며, 기존의 MLC 장치의 비용을 크게 낮출 수 있다. 이 신기술로 단일 웨이퍼 상에서 거의 6TB의 스토리지가 구현될 수 있다.

Micron의 NAND Solutions Group 담당 부사장인 Glen Hawk는 “Micron의 전문 엔지니어 팀에서 꾸준히 노력한 결과, 세계 최소형의 최첨단 메모리 제조 기술이 탄생하게 되었다”며 “당사의 고객들은 소형 폼 팩터에 고용량을 지속적으로 요구하고 있으며, 이 차세대 프로세스 노드를 통해 Micron은 이런 요구를 충족시키면서 시장을 선도해 나갈 것이다”고 말했다.

시장조사 기관인 Gartner*는 “비용 절감은 언제나 NAND 산업의 본질적인 문제였기 때문에, 플래시 프로세스 기술을 지속적으로 선도할 수 있는 기업들은 특히 수직 통합 솔루션 분야에서 성공할 것이다”고 밝혔다.

현재, Micron은 일부 파트너들과 16nm, 128Gb MLC NAND를 샘플링하고 있으며, 2013년4분기에 전면 생산에 들어갈 계획이다. 또한, Micron은 이 장치에 기반한 새로운 SSD 솔루션 라인을 개발하고 있으며, 2014년에 16nm 플래시와 함께 SSD를 출시할 예정이다.

Micron의 16nm NAND 이미지는 http://www.micron.com/about/news-and-events/media-kits/16nm-nand에서 다운로드 받을 수 있다.

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Micron Technology, Inc.는 첨단 반도체 솔루션을 제공하는 세계 선두 업체 중 하나이다. 이 회사는 DRAM, NAND 플래시 및 NOR 플래시를 비롯하여 근본적인 메모리 기술을 SSD 및 스토리지 기기, 모듈, 멀티칩 패키지 그리고 기타 반도체 시스템 등 혁신적인 솔루션으로 탈바꿈시킨다. Micron의 글로벌 운영은 이러한 솔루션들을 최첨단 기술의 컴퓨팅 제품 및 소비재 제품, 엔터프라이즈 서버 및 스토리지, 네트워킹 제품, 내장형 및 모바일 제품에 사용하도록 디자인, 제조 및 마케팅하고 있다. Micron의 보통주는 NASDAQ에서 MU라는 약어로 거래되고 있다.

이 보도자료에 관련된 사진은 http://www.globenewswire.com/newsroom/prs/?pkgid=19882에서 볼 수 있다.

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Melinda Jenkins
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