르네사스 테크놀로지,NTT 도코모와 공동 개발한 듀얼-모드 휴대폰용 싱글칩 LSI 샘플 공급
2004년 7월부터 NTT도코모의 기술 개발 자금을 통해 공동 개발된 LSI는 NTT도코모의 3세대 이동통신 서비스인 FOMA와 3G휴대폰의 전세계적인 사용을 활성화시킬 것으로 기대되고 있다. 이번에 개발된 LSI는 또한 W-CDMA 및 GSM/GPRS 듀얼 베이스밴드 프로세서와 함께 르네사스 테크놀로지의 SH-모바일 애플리케이션 프로세서를 집적시켜 원가를 절감시켰다. 양사는NTT도코모의 W-CDMA 전문 기술과 르네사스의 첨단 LSI 제조 기술, 멀티미디어 애플리케이션 프로세싱 및 GSM/GPRS 기술을 결합시켜, 고성능을 발휘하는 저전력 싱글 칩 LSI를 개발했다. 고객사들은 이 평가용 샘플이 내장된 레퍼런스 보드를 이용해 각 사가 필요로 하는 통신 기능을 평가할 수 있다.
NTT 도코모의 코지 치바 (Koji Chiba) 고객용 휴대형 기기 개발 사업부 이사는 “ 르네사스와 공동 개발한 W-CDMA와 GSM/GPRS를 모두 지원하는 싱글 칩 듀얼모드 LSI의 샘플을 성공적으로 공급하게 된 것을 매우 기쁘게 생각한다”며 “이 새로운 싱글 칩 LSI를 사용해 FOMA 단말기의 원가를 절감시키면서 대기 시간 연장과 같은 기본적인 성능을 향상시키는 한편 FOMA 서비스의 전세계적인 도입을 활성화시킬 것으로 확신한다”고 말했다.
르네사스 테크놀로지의 시스템 솔루션 제 2 사업부의 이쿠야 카와사키 본부장은 “FOMA폰과 같은 3G휴대폰을 위한 싱글 칩 LSI 공급을 통해 르네사스는SH-모바일 시리즈 애플리케이션 프로세서 기반의 고집적 무선 솔루션을 3G 시장에서 빠른 속도로 확산시킬 수 있게 됐다”며 “르네사스는 향후 몇 년간 이번 LSI 개발을 통해 축적된 기술 노하우를 바탕으로 더욱 향상된 LSI를 지속적으로 개발해 선도적인 휴대폰용 LSI 제조업체 및 솔루션 제공업체로써 입지를 강화시킬 것”이라고 밝혔다.
르네사스 테크놀로지는 2006년 2분기부터 새로운 LSI를 양산할 계획이다. 이 LSI를 탑재한 3G 휴대폰 플랫폼은 FOMA 및 GSM/GPRS 단말기 제조업체에 제공될 예정이다.
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