파나소닉, 업계 최소형 인핸스먼트 모드 600V GaN(질화갈륨) 파워 트랜지스터 패키지 출시*
파나소닉, 업계 최소형 인핸스먼트 모드 600V GaN(질화갈륨) 파워 트랜지스터 패키지 출시
http://www.businesswire.com/news/home/20150517005082/en/
* : 2015년 5월 18일자 600-V 인핸스먼트-모드 GaN 파워 트랜지스터 영역, 파나소닉 코퍼레이션의 조사 기반
** : X-GaN은 파나소닉 코퍼레이션의 상표이다.
트랜지스터의 절연파괴전압은 인핸스먼트 모드에서 600V이고 제품은 200V/ns의 고속 스위칭과 54내지 154 mΩ의 낮은 온-저항[3]을 달성했다. 회사는 2015년 7월에 10A타입(PGA26E19BV)과 15A타입(PGA26E08BV)의 제품 샘플을 출시할 예정이다.
파워 트랜지스터는 전원공급을 제어하는 반도체 장치이다. GaN은 주목할 만한 반도체 화합물 중 하나이며, 이것이 트랜지스터에 적용되는 경우, 실리콘(Si) 및 탄화규소(4H-SiC)의 그것에 비해 스위칭 성능 및 절연파괴전압의 향상이 기대된다.
자사의 기존 유형의 GaN 파워 트랜지스터가 고열 확산 표면-실장 패키지 TO220(사이즈: 15 x 9.9 x 4.6mm)로 캡슐화 되었지만, 이 패키지는 충분히 작지 않고, 전자장비에서 인쇄 회로기판의 장착영역은 한정되어 있다.
기생 인덕턴스[4]는 표면 실장 패키지를 감소시키며 결과적으로, 600V 고압에서 8 x 8 x 1.25mm의 더 작은 사이즈로 고유의 GaN 파워 트랜지스터 특성인 높은 스위칭 성능을 가져왔다. 파워 트랜지스터는 전자장비로의 도입이 가속화되며 전력소비 절감에 기여한다.
제품은 2015년 5월 19일부터 21일까지 독일 뉘른베르크의 PCIM 2015(Power Conversion Intelligent Motion 2015, 국제 동력기술 박람회 2015)에서 전시될 예정이다.
[특징]
1. GaN 파워 트랜지스터에 최적화된 신개발 세계 최소형 GaN 표면-실장 패키지 DFN 8x8(8 x 8 mm x 1.25 mm, 자사의 기존 TO-220 패키지 제품에 비해 43%의 영역크기를 가진)가 사용된다.
2. 표면-실장 패키지의 채택은 기생 인덕턴스를 감소시키며 200 V/ns의 고속 스위칭 성능을 달성한다.
3. 6인치 Si기판 위에서 실현된 파나소닉의 독창적인 게이트 인젝션 트랜지스터(gate injection transistors, GIT)[5]가 인핸스먼트 모드의 생성을 가능하게 한다.
GaN 파워 트랜지스터는 AC-DC 전원공급장치(PFC, 절연형 DC-DC 컨버터), 배터리 충전 시스템, PV 파워 컨디셔너, EV 인버터에 더 쉽게 적용된다.
회사는 출원 중인 자사의 독창적인 GIT 구조에 대한 기본 특허 US 8779438 및 노멀리-오프(normally-off) 동작을 활용하는 구동 시스템의 기본 특허 US 8299737 등을 포함하여 200개의 국내특허와 180개의 해외특허를 보유하고 있다.
이 작업은 부분적으로 에너지 보존기술의 전략적 개발 프로젝트(Strategic Development of Energy Conservation Technology Project)에 따라 일본의 신에너지산업기술종합개발기구(New Energy and Industrial Technology Development Organization, NEDO)에 의해 지원된다.
[용어 설명]
[1] 인핸스먼트 모드(Enhancement mode)
인핸스먼트 모드 트랜지스터는 전압이 게이트에 적용되지 않을 때 소스와 드레인 사이의 전류 흐름을 방지할 수 있는 반도체 장치의 특성인 노멀리-오프(normally-off) 특성을 인식할 수 있는 단일 장치 트랜지스터이다.
[2] 질화갈륨(Gallium nitride, GaN)
질화갈륨는 III-V 화합물 반도체이며 넓은 띠 간격(원자가띠와 전자띠 사이의)을 가지고 있다. 띠 간격이 더 넓은 물질은 더 높은 절연파괴전압을 특징으로 하는 경향이 있다.
[3] 온-저항(On-resistance)
온-저항은 트랜지스터가 켜졌을 때(전도상태) 트랜지스터의 소스 전극과 드레인 전극 사이의 저항이다.
[4] 기생 인덕턴스(Parasitic inductance)
기생 인덕턴스는 전자부품의 패키지에 존재하는 의도하지 않은 유도성분이다. 해당 인덕턴스가 50 또는 60 Hz의 주파수에서 전원공급장치에 문제가 되지는 않지만, 수백 kHz내지 수 MHz 주파수에서 작동하는 GaN 전원공급장치에서 고속 동작에 상당한 장애물이 될 수 있다.
[5] 게이트 인젝션 트랜지스터(Gate Injection Transistor, GIT)
GIT는 파나소닉 반도체 솔루션(Panasonic Semiconductor Solutions)이 독창적으로 개발한 노멀리-오프(normally-off) GaN 트랜지스터이다. 홀 주입 시에 드레인 전류의 증가에 기초하는 새로운 동작원리가 낮은 온-저항 및 인핸스먼트 모드 사이의 호환성 유지에 사용된다.
GaN 제품 웹페이지 참조
http://www.semicon.panasonic.co.jp/en/products/powerics/ganpower/
파나소닉(Panasonic) 소개
파나소닉 코퍼레이션(Panasonic Corporation)은 주거, 비주거, 이동성, 개인 어플리케이션 고객을 위해 전자 기술 및 솔루션 개발과 엔지니어링을 선도하는 세계적인 기업이다. 파나소닉은 1918년 창사 이래 세계로 사업을 확장했으며 현재 전 세계에서 468개의 자회사와 94개의 계열사를 운영하고 있다. 이 회사는 2015년 3월 31일 마감된 연결실적을 기준으로 7조 7150억엔의 순매출을 기록했다. 사업 부문별로 새로운 가치 추구에 매진하고 있는 파나소닉은 고객을 위해 더 나은 삶과 세상을 만들고자 힘쓰고 있다. 웹사이트(www.panasonic.com/global)에서 파나소닉에 대한 자세한 정보를 찾아볼 수 있다.
이 보도자료의 원본은 아래 링크에서 볼 수 있다.
http://www.businesswire.com/news/home/20150517005082/en/
[이 보도자료는 해당 기업에서 원하는 언어로 작성한 원문을 한국어로 번역한 것이다. 그러므로 번역문의 정확한 사실 확인을 위해서는 원문 대조 절차를 거쳐야 한다. 처음 작성된 원문만이 공식적인 효력을 갖는 발표로 인정되며 모든 법적 책임은 원문에 한해 유효하다.]
웹사이트: http://www.panasonic.com/global
연락처
Panasonic Corporation
Public Relations Department
Tel: +81-(0)3-3574-5664 Fax: +81-(0)3-3574-5699
Panasonic News Bureau
Tel: +81-(0)3-3542-6205 Fax: +81-(0)3-3542-9018
이 보도자료는 Panasonic Corporation가(이) 작성해 뉴스와이어 서비스를 통해 배포한 뉴스입니다. 뉴스와이어는 편집 가이드라인을 준수합니다.