페어차일드, FDMS86181 100V 차폐 게이트 PowerTrench MOSFET 출시

페어차일드의 선도적인 PowerTrench® MOSFET 포트폴리오에 최근 추가된 새로운 100V MOSFET

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2016-03-22 09:26

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롱비치, 캘리포니아주--(뉴스와이어)--고성능 반도체 솔루션의 세계적인 공급업체인 페어차일드(NASDAQ: FCS)가 오늘 APEC 2016에서 자사의 최신 세대 100V N-Channel Power MOSFET의 주력 상품인 FDMS86181 100V 차폐 게이트 PowerTrench® MOSFET을 출시했다.

FDMS86181은 페어차일드의 차세대 PowerTrench MOSFET 중에서 성능이 가장 뛰어난 제품으로, 효율성이 크게 향상되고 전압 발진 현상이 감소했으며 전자파 장애(EMI) 정도가 낮아져 전력 공급 장치, 모터 드라이브 및 100V MOSFET이 필요한 기타 응용 분야에서 사용 가능하다.

거의 25년 전에 성공적인 PowerTrench MOSFET을 초기에 개발한 기업인 페어차일드는 이 최신 세대 PowerTrench 소자로 경쟁업체보다 앞서 MOSFET 기술 분야에서 계속 선두를 유지하고 고객들의 까다로운 시스템 전력 요구 사항을 충족할 수 있게 되었다.

“당사의 새로운 100V N-Channel FET는 업계를 대표하는 이전 세대의 PowerTrench MOSFET과 비교해 볼 때 상당한 발전을 이룬 제품이며, 효율성부터 신뢰성에 이르기까지 거의 모든 성능 범주에서 경쟁업체보다 훨씬 더 뛰어난 우위를 나타냅니다.”라고 페어차일드의 iFET 사업 부문 부사장 겸 총괄 관리자 Suman Narayan은 소감을 밝혔다.

새로운 FDMS86181의 주요 이점은 Rdson이 40% 줄어 전도 손실이 감소하고, 게이트 전하(Qg)가 최소화되어 전환 손실이 감소한다는 점이다. FDMS86181의 이례적으로 낮은 Qrr은 실질적으로 발진 현상을 일으키는 전압 과장을 제거하여 제품 설계 시 스너버의 축소 또는 제거가 가능하도록 하면서 EMI를 줄여준다. FDMS86181의 이 고유한 이점을 통해 설계자들은 제품 크기와 자재 명세서(BOM) 비용을 모두 줄일 수 있다.

새로운 100V PowerTrench MOSFET에 대한 자세한 정보와 샘플에 대해서는 fairchildsemi.com/powertrench 를 참조하면 된다.

웹사이트: http://www.fairchildsemi.com