파나소닉, GaN 전력용 트랜지스터 X-GaN (TM) 전용 고속 게이트 드라이버 대량생산 개시

전력 변환 유닛의 공간 및 에너지 절약에 기여

뉴스 제공
Panasonic Corporation
2016-11-08 17:40
뮌헨--(Business Wire / 뉴스와이어)--파나소닉 코퍼레이션(Panasonic Corporation)은 2016년 11월, GaN 전력용 트랜지스터 X-GaN을 작동시키는데 최적화된 고속 게이트 드라이버(AN34092B)의 대량 생산을 시작할 것이라고 발표했다. 또한 두 종류의 X-GaN (PGA26E07BA 및 PGA26E19BA) 대량 생산에도 착수하고 고속 게이트 드라이버와 결합한 솔루션을 제공할 예정이다.

GaN은 여러 가지 전력 유닛에 사용되는 트랜지스터에 적용할 경우, 공간과 에너지를 절약할 수 있는 차세대 반도체 화합물(semiconductor compounds) 중 하나이다. 그러나 게이트 드라이버는 트랜지스터를 작동시키는데 필요하지만, GaN 트랜지스터의 게이트 구조는 실리콘 트랜지스터의 구조와는 다르기 때문에 종래의 실리콘(Si) 트랜지스터용 일반 게이트 드라이버는 GaN 트랜지스터의 전위(potential)를 활용할 수 없다.

새로운 고속 게이트 드라이버(AN34092B)는 파나소닉의 X-GaN이 쉽고 안전하게 고속 스위칭 성능(switching performance)을 달성하도록 도와주는 역할을 한다. 최대 4MHz의 고주파에서 트랜지스터를 작동시키며, 고속 스위칭이 일어나는 동안 오작동을 방지하는 능동 밀러 클램프(active miller clamp) 기능[1] 을 통합시킨다. X-GaN은 파나소닉의 특수한 기술을 이용해 600V의 항복 강화 모드(breakdown enhancement mode) [2]를 달성하고, 고속의 스위칭 및 낮은 온 저항(on-resistance) [3] 특성을 나타낸다. X-GaN과 전용 고속 게이트 드라이버를 결합하면 여러 가지 산업용 및 소비자용 전력 변환 유닛(power conversion units)의 공간과 에너지를 크게 절약시켜준다.

X-GaN과 전용 고속 게이트 드라이버는 100W에서 5kW에 이르는 전력공급 유닛, 인버터, 데이터 센터, 이동기지국, 소비자 전자제품, 시청각 기기, 산업용 및 의료용 기기와 같은 다양한 애플리케이션에 적합하다.

X-GaN과 전용 고속 게이트 드라이버는 올해 11월8일(화)부터 11일(금)까지 독일 뮌헨에서 개최되는 일렉트로니카 2016(electronica 2016)에서 전시될 예정이다.

[비디오]
파나소닉, 전력용 트랜지스터 X-GaN 대량생산 개시
[영어] http://channel.panasonic.com/contents/19314/
[독일어] http://channel.panasonic.com/contents/19315/
* 영어판 비디오는https://vimeo.com/190235768/a7a95b0b72에서 다운로드 할 수 있다.

[고속 게이트 드라이버(AN34092B) 개요]
라인업
AN34092B
특성
· 최대 4MHz에 이르는 고주파에서 트랜지스터를 작동하여 공간 절약
· 높은 슬루 레이트(slew rate)를 달성하여 에너지 절약에 기여
· 고속 스위칭이 이루어지는 동안 오작동을 방지하는 능동 밀러 클램프 기능을 통합

고속 게이트 드라이버(AN34092B)에 관한 보다 자세한 사항은 http://www.semicon.panasonic.co.jp/en/products/powerics/ganpower/#products-document 에서 확인할 수 있다.

[X-GaN 개요]
라인업
PGA26E07BA (70 mΩ) 및 PGA26E19BA (190 mΩ)
특성
X-GaN은 파나소닉의 특수한 기술과 무 전류붕괴(current collapse free) [4]를 통해 600V의 항복 강화 모드를 달성한다. X-GaN의 고속 작동은 전력변환 효율성을 높여주는데 더하여 크기 축소를 가능케 해준다.
X-GaN 에 대한 자세한 정보는 http://www.semicon.panasonic.co.jp/en/products/powerics/ganpower/ 에서 확인할 수 있다.

[관련 정보]
[보도자료] 파나소닉, 업계 최소의 강화 모드 600V GaN 전력용 트랜지스터 패키지 생산 개시(2015년 5월18일)
http://news.panasonic.com/global/press/data/2015/05/en150518-4/en150518-4.html
[영상물] 개발 이야기: 파나소닉의 차세대 전력용 기기, “X-GaN”
https://channel.panasonic.com/contents/16417/
파나소닉반도체솔루션주식회사(Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd.)
http://www.semicon.panasonic.co.jp/en/

[주]

[1] 능동 밀러 클램프(Active miller clamp)
능동 밀러 클램프는 트랜지스터가 껴졌을 경우, 트랜지스터의 오작동을 야기할 수 있는 노이지(noisy) 환경에서 전압 스파이크(voltage spike)를 줄이기 위해 게이트 전압을 바닥수준(ground level)으로 직접 고정시키는 기능이다.

[2] 강화모드(Enhancement mode)
강화모드는 게이트에 전압이 공급되지 않는 경우, 정상적으로 꺼지는 반도체 기기의 특성이다. 이는 정상 오프(normally-off)라고도 한다.

[3] 낮은 온 저항(Low on-resistance)
온 저항은 트랜지스터가 켜졌을 경우, 트랜지스터의 드레인(drain)과 소스 전극(source electrode) 간의 저항이다. 값이 낮을수록 트랜지스터의 손실은 적어진다.

[4] 전류 붕괴(Current collapse)
전류 붕괴는 드레인과 소스 전극 간에 가해진 고전압 에너지에 의해 드레인 구역(drain area)의 전자가 포획되는 현상이다. 포획된 전자(trapped electron)는 트랜지스터가 켜졌을 때, 드레인에서 소스 전극으로의 전류 흐름을 막아주기 때문에 온 저항은 증가한다.

파나소닉(Panasonic) 개요

파나소닉 코퍼레이션(Panasonic Corporation)은 소비자가전, 주택, 자동차, 기업 솔루션 및 디바이스 산업 분야에서 다양한 전자 기술과 고객 솔루션을 개발하는 세계적인 선도기업이다. 1918년 설립 이래로 파나소닉은 세계적으로 사업을 확대하여 현재 전 세계에 474개 자회사와 94개 관계회사들을 운영하고 있고 2016년 3월 31일 마감 회계연도 기준 7조 5530억 엔의 연결순매출을 기록했다. 다양한 사업부에서 혁신을 통한 새로운 가치 추구를 지향하고 있는 파나소닉은 고객을 위한 더 나은 삶과 더 나은 세상을 창조하기 위해 노력하고 있다.

비즈니스 와이어(businesswire.com) 원문 보기: http://www.businesswire.com/news/home/20161107005300/en/

[이 보도자료는 해당 기업에서 원하는 언어로 작성한 원문을 한국어로 번역한 것이다. 그러므로 번역문의 정확한 사실 확인을 위해서는 원문 대조 절차를 거쳐야 한다. 처음 작성된 원문만이 공식적인 효력을 갖는 발표로 인정되며 모든 법적 책임은 원문에 한해 유효하다.]

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