도시바 메모리 코퍼레이션, 96레이어 3차원 플래시 메모리 발표

4세대 도시바 메모리 코퍼레이션 BiCS FLASH™, 레이어 증가로 용량 확대

2017-06-29 16:40
도쿄--(Business Wire / 뉴스와이어)--세계 메모리 솔루션 업계 리더 기업인 도시바 메모리 코퍼레이션(Toshiba Memory Corporation)이 하나의 셀에 3비트를 저장하는 TLC(triple-level cell) 기술이 적용된 적층 구조[1]의 96레이어 BiCS FLASH™ 3차원 플래시 메모리의 시제품 샘플을 개발했다고 28일 발표했다.

새로 개발된 96레이어 제품 샘플은 256기가비트(32기가바이트) 장치로 2017년 하반기 출시될 예정이며 2018년 양산을 목표로 하고 있다. 새 장치는 기업 및 개인용 SSD, 스마트폰, 태블릿, 메모리카드 등의 제품에 대한 시장 수요와 성능 사양을 충족시킨다.

도시바 메모리 코퍼레이션은 향후 96레이어 프로세스 신기술을 대용량 제품에도 확대 적용할 계획이다. 조만간 512 기가비트(64 기가바이트)와 하나의 셀에 4비트를 기록하는 QLC(quadruple-level cell) 기술에 이를 적용할 예정이다.

혁신적인 96레이어 적층 프로세스는 첨단 회로 및 생산 가공 기술을 결합해 64레이어 적층 프로세스에 비해 유닛 칩 사이즈당 용량을 약 40% 증대해 준다. 또한 비트 당 비용을 절감하고 실리콘 웨이퍼 당 메모리 용량 생산성을 높여 준다.

도시바 메모리 코퍼레이션은 지난 2007년 세계 최초[2]의 3차원 플래시 메모리 기술 시제품을 발표한 이후 보다 발전된 3차원 플래시 메모리를 개발해 왔으며 다이 소형화와 대용량화에 대한 수요에 부응할 수 있는 BiCS FLASH™를 적극 판촉하고 있다.

96 레이어 BiCS FLASH™는 욧카이치 공장의 팹5(Fab 5)에서 제조될 예정이며 2018년 여름 개소할 새 설비 팹2, 팹6에서도 생산될 예정이다.

주:
[1] 플래시 메모리 셀을 실리콘 기판에 수직으로 적층한 구조로 실리콘 기판 위에 셀을 형성한 평면형 낸드(NAND) 플래시 메모리에 비해 밀도를 크게 높일 수 있다.
[2] 출처: 도시바 메모리 코퍼레이션. 2007년 6월 12일 기준

* 자료에 언급된 회사명, 제품명, 서비스명은 각 회사의 상표일 수 있다.

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