로옴, 고온 고습 환경에서 업계 최고 수준의 신뢰성을 실현한 1700V Full SiC 파워 모듈 개발
1700V 250A 고내압 대응 Full SiC 파워 모듈
고온 고습 바이어스 시험 시의 리크 전류 추이(고신뢰성 확보)
로옴은 이러한 상황에 대응하여 1200V 내압 제품으로 호평을 받은 저전력 성능을 유지함과 동시에 신뢰성을 향상시켜, 1700V 정격 Full SiC 파워 모듈의 상품화를 실현했다.
이번에 새롭게 개발한 모듈은 새로운 코팅 재료와 새로운 공법을 도입함으로써, 절연 파괴를 방지하여 리크 전류의 증가를 억제하는데 성공했다. 고온 고습 바이어스 시험(HV-H3TRB)에서 1000시간을 초과해도 절연 파괴를 일으키지 않는 고신뢰성을 실현했다. 따라서 고온 고습 환경에서도 안심하고 1700V의 고내압을 취급할 수 있다.
또한 모듈에는 로옴의 SiC MOSFET 및 SiC 쇼트키 배리어 다이오드(SBD)를 채용하여 모듈 내부의 구조를 최적화함으로써, 동등 클래스의 SiC 제품 대비 10% 우수한 ON 저항 성능을 달성했다. 이로써 어플리케이션의 저전력화에도 기여한다.
앞으로도 고객이 안심하고 사용할 수 있는 제품의 라인업을 확충함과 동시에, SiC 모듈 도입이 용이하도록 평가 보드 등을 구비하여, 한 차원 높은 수요 확대를 위해 노력할 것이다.
◇특징
1. 고온 고습 환경에서 업계 최고 수준의 신뢰성 확보
이 제품은 칩의 보호 대책으로 새로운 코팅 재료와 새로운 공법을 도입하여 HV-H3TRB를 통과함으로써, 1700V 내압 제품을 상품화했다.
고온 고습 바이어스 시험에서 비교 대상인 IGBT 모듈은 1000시간 이내에 고장의 원인이 되는 절연 파괴가 발생했지만, BSM250D17P2E004는 85℃/85%의 고온 고습 환경에서 1360V를 1000시간 이상 인가한 경우에도 고장이 발생하지 않는 높은 신뢰성을 실현했다.
2. 우수한 ON 저항 성능으로, 기기의 저전력화에 기여
이 제품에는 로옴의 SiC SBD 및 SiC MOSFET를 탑재했다. SiC SBD와 SiC MOSFET를 최적으로 배치함으로써, 동등한 클래스의 일반품 대비 10%의 ON 저항 저감을 실현했다. 이로써, 어플리케이션의 저전력화에 기여한다.
◇용어 설명
1) 리크 전류
파워 디바이스에서 절연되어 있는 부분으로부터 누설되는 소량의 전류. 리크 전류를 억제함으로써 디바이스의 파괴 및 소비전력의 증가를 방지할 수 있다.
2) 고온 고습 바이어스 시험(HV-H3TRB : High Voltage High Humidity High Temperature Reverse Bias)
파워 디바이스를 고온 고습한 환경에서 사용하는 경우의 내구성을 평가하는 시험. 전계 및 수분으로 인한 절연 리크 전류의 증가로부터 절연 파괴 등의 고장 현상을 검출한다.
로옴세미컨덕터코리아 개요
로옴 주식회사는 LSI에서 트랜지스터, 다이오드, LED, 저항기, 모듈에 이르기까지 토탈 솔루션을 제공하는 종합 반도체 제조업체이다. 시장 요구에 앞서가는 고부가가치 신제품 및 신기술 개발, 생산·판매 체제의 강화를 추진하여 모든 제품의 고기능화 및 소형화에 기여하고 있다. 또한 창업 이래 ‘품질 제일’을 제조의 기본으로 하여, 원재료에서 조립 공정에 이르기까지 일관된 품질 관리를 통해 고품질과 신뢰성, 안정 공급을 실현하고 있다. 최근에는 고품질 제품이 요구되는 산업기기 및 차재 시장을 주력 분야로 하여, 로옴의 우수한 아날로그 파워 기술을 통해 더욱 차원 높은 성장을 지향하고 있다.
웹사이트: http://www.rohm.co.kr
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